 |
Поиск Datasheets |
|
| VF20120SG_10 |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
Vishay Siliconix |
 |
|
VF20120SG_10 Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
VF20120SG_10 и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| SST29EE010-90-3C-PH |
1 Megabit (128K x 8) Page Mode EEPROM |
Silicon Storage Technology, Inc |
|
| SDR0703-1R2ML |
SMD Power Inductors |
Bourns Electronic Solutions |
|
| RTBV151CSDED6M10X525S |
1-2 Pole Coded Rotary Switches |
ITT Industries |
|
| VF20150S-E3/4W |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.55 V at IF = 5 A |
Vishay Siliconix |
|
| TAFE1040PFB |
3 V, 10-BIT 42 MSPS, AREA CCD ANALOG FRONT-END |
Texas Instruments |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
