Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Поиск Datasheets
Мой поиск: STN4426


STN4426
STN4426 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.
Stanson Technology

STN4426 Datasheet

STN4426 - STN4426 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology. by STANSON

STN4426 datasheet - STN4426 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.


 

Название/Part No:
STN4426

Описание/Description:
STN4426 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.

Производитель/Maker:
Stanson Technology (STANSON)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

STN4426 и другие

КомпонентОписаниеПроизводительPDF
IDT71V2556SA200PF
128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
Integrated Device Technology
STM8S208C6T3C
Performance line, 24 MHz STM8S 8-bit MCU, up to 128 Kbytes Flash, integrated EEPROM,10-bit ADC, timers, 2 UARTs, SPI, IbC, CAN
STMicroelectronics
P9S12XS64J1VR
HCS12 Microcontrollers
Freescale Semiconductor, Inc
STN4850
STN4850 is the N-Channel logic enhancement mode power field effect transistor which is produced using high cell density, DMOS trench technology.
Stanson Technology
IDT71V2558S100BG
128K x 36, 256K x 18 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 2.5V I/O, Burst Counter Pipelined Outputs
Integrated Device Technology
Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей


Реклама на сайте




© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»