MGV12N120D Datasheet

MGV12N120D - Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode by MOTOROLA

Название/Part No:

MGV12N120D

Описание/Description:

Insulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode

Производитель/Maker:

Motorola, Inc (MOTOROLA)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

MGV12N120D и другие

Компонент	Описание	Производитель	PDF
HF105F-1L110A-1HT	MINIATURE HIGH POWER RELAY	Hongfa Technology
PV8F2U0NN-301	Vandal and Vandal Resistant, RATING: 2A 36VDC	E-SWITCH
PV8F2U0NSG-311	Vandal and Vandal Resistant, RATING: 2A 36VDC	E-SWITCH
HF105F-1L012D-1HS	MINIATURE HIGH POWER RELAY	Hongfa Technology
KQ0402TTPR10C	high Q inductor	KOA Speer Electronics, Inc.

Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей

Реклама на сайте