|
Поиск Datasheets |
|
K4F660812D-JC/L |
8M x 8bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. 3.3V, 8K refresh cycle. |
Samsung semiconductor |
|
|
K4F660812D-JC/L Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
K4F660812D-JC/L и другие |
|
Компонент | Описание | Производитель | PDF |
K4F640812D-JC/L |
8M x 8bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. 3.3V, 4K refresh cycle. |
Samsung semiconductor |
|
K4F660812D-TC/L |
8M x 8bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. 3.3V, 8K refresh cycle. |
Samsung semiconductor |
|
K4F640812D-TC/L |
8M x 8bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. 3.3V, 4K refresh cycle. |
Samsung semiconductor |
|
KM416RD8AC-RG60 |
256K x 16 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, speed: 600 Mbps(300 MHz). |
Samsung semiconductor |
|
KM416RD8AD-RG60 |
256K x 16 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, speed: 600 Mbps(300 MHz). |
Samsung semiconductor |
|
| |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|