Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Поиск Datasheets
Мой поиск: IRF820FI


IRF820FI
N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A
STMicroelectronics

IRF820FI Datasheet

IRF820FI - N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A by STMICROELECTRONICS

IRF820FI datasheet - N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A


 

Название/Part No:
IRF820FI

Описание/Description:
N-channel enhancement mode power MOS transistor, 500V, 2.2A

Производитель/Maker:
STMicroelectronics (STMICROELECTRONICS)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

IRF820FI и другие

КомпонентОписаниеПроизводительPDF
RB063L-30
Schottky barrier diode, 30V, 2A
Rohm
RB160L
Schottky barrier diode, 40V, 1A
Rohm
RB160L
Schottky barrier diode, 60V, 1A
Rohm
TC55RP6001EMBTR
1uA low dropout positive voltage regulator (output voltage: 6V) for battery-powered devices, cameras and portable video equipment and etc.
Teledyne Technologies Incorporated
TC55RP6002EMBTR
1uA low dropout positive voltage regulator (output voltage: 6V) for battery-powered devices, cameras and portable video equipment and etc.
Teledyne Technologies Incorporated
Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей


Реклама на сайте




© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»