Симулятор LTspice IV

[Ан-162]

Насколько я знаю, это невозможно.
На первый взгляд, кажется, что было бы неплохо иметь такую возможность.
Но надписи на схеме сложнее десятка элементов это превращало бы в хаос.
Тут даже стандартные обозначения элементов приходится зачастую выносить в сторонку на компактно составляемых моделях, а Вы хотите еще добавить обозначение на каждое соединение...

[vavolf]

Всем здравствуйте!
Требуется модель туннельного диода 3И306К (АИ301В) и полевика КП303Е для LTSpice. Буду премного благодарен за ссылку на нужную библиотеку или за предоставленную модель. Заранее спасибо

[kreking]

КП303Е

Найдёте способ вставить модели.

[bordodynov]

Вот три примера моделей туннельного диода:

*SRC=1N3858;TN3858;Diodes;Tunnel;
*SYM=TUNDIODE
.SUBCKT TN3858 1 2
R1 1 3 2.5
I0 3 2 1.2M
D1 3 2 DIODE
J1 4 2 3 NCHANNELJFET
J2 4 3 2 PCHANNELJFET
.MODEL NCHANNELJFET NJF(VTO=-.115V BETA=1.9 CGS=4P)
.MODEL PCHANNELJFET PJF(VTO=-.115V BETA=1.9 CGS=4P)
.MODEL DIODE D (RS=7 N=.6)
.ENDS

* 1N2927 ; TUNNEL-DIODE ; Silicon (Si) ; Microsemi Corp. ; TO-18
.SUBCKT 1N2927 1 4
* TERMINALS: A K
* LEVEL 2
R1 1 2 7.210024E-06
L1 3 2 7.5E-09
G1 3 4 VALUE={(.0001*V(3,4)/.075))*(EXP(1-(V(3,4)/.075)))}
G2 3 4 VALUE={(.000035*EXP(V(3,4)-.475))}
G3 3 4 VALUE={(.0001*EXP(-.8/.0259))*(EXP((V(3,4)/.0259)-1))}
* (c) 15.05.1998 ISD Innovative Software Development
.ENDS

* 1N2927A ; TUNNEL-DIODE ; Silicon (Si) ; Microsemi Corp. ; TO-18
.SUBCKT 1N2927A 1 4
* TERMINALS: A K
* LEVEL 2
R1 1 2 5.524063E-06
L1 3 2 7.5E-09
G1 3 4 VALUE={(.0001*V(3,4)/.07))*(EXP(1-(V(3,4)/.07)))}
G2 3 4 VALUE={(.00003*EXP(V(3,4)-.475))}
G3 3 4 VALUE={(.0001*EXP(-.825/.0259))*(EXP((V(3,4)/.0259)-1))}
* (c) ISD Innovative Software Development
.ENDS
А вот диод Ганна:
.SUBCKT GUNN 1 2
*
* VP=3V IP=350MA VV=6.5V IV=50MA VF=9V RB=0.5OHM CJ=0.1P
*
* L1 1 100 .2NH ; Optional Lead Inductance. If used, set Node 1 in R1 to 100
R1 1 3 .5
D1 3 2 DIODE
J1 4 2 3 NKANALJFET
J2 4 3 2 PKANALJFET
.MODEL NKANALJFET NJF (VTO=-4V BETA=.07 CGS=.05P)
.MODEL PKANALJFET PJF (VTO=-4V BETA=.07 CGS=.05P)
.MODEL DIODE D (RS=6 N=9)
.ENDS
Я думаю, что если вы заинтересованы, то сможете сделать свою модель.
Загрузите файл cmp.zip. Замените этой распакованной папкой свою и вы получите расширенный набор моделей, включая русские.

[vavolf]

Kreking и bordodynov, спасибо! Чтож, будем осваивать создание моделей

[bordodynov]

Вот модель с параметрами:

.SUBCKT TUNNEL 1 20
+ Vp=60mV Ip=50mA Vv=3V Iv=3mA Vpp=500mV c=0.1pF L=0.1n
.param Vt={boltz*(TEMP+273.15)/echarge}
BTHE 1 2 I = {Ip}*exp(-{Vpp}/{Vt})*(exp(v(1,2)/{vt})-1)
BTUN 1 2 I = {Ip}*(v(1,2)/{Vp})*exp(1-v(1,2)/{Vp})
BEXC 1 2 I = {Iv}*exp(v(1,2)-{Vv})
C 1 2 {c}
L 20 2 {L} Rpar=5
.ENDS TUNNEL

Также я загрузил папку для LTspice. Я построил ВАХ туннельного диода. Подбирая параметры можно подогнать модель к реальности.
Успехов.

[zöner]

может кому пригодится - туториал LT Spice For Radio Amateurs

[bordodynov]

Спешу порадовать. LTspiceIV поддерживает модель IGBT транзисторов (встроенную). Вот пример:

[bordodynov]

Насколько я знаю, это невозможно.
На первый взгляд, кажется, что было бы неплохо иметь такую возможность.
Но надписи на схеме сложнее десятка элементов это превращало бы в хаос.
Тут даже стандартные обозначения элементов приходится зачастую выносить в сторонку на компактно составляемых моделях, а Вы хотите еще добавить обозначение на каждое соединение...

LTspice позволяет делать невидимыми атрибуты (имя транзистора, обозначение на схеме, номиналы и т.п.). Это удобнее, чем выносить в сторону!

[sstvov]

Хм, а есть ли возможность вернуть видимость обратно? А то я не нашел такой возможности.