максимально допустимый ток через MOSFET

[genao]

Я взял 4 шт. IRFP250.

для электронной нагрузки и чувствую, со скрытым в толщу пластика кристаллом будет та еще лотерея

Здесь автор загружает IRFP250 https://mysku.ru/blog/china-stores/32720.html

Получилось по 25 Ватт на каждый из транзисторов. Кстати, пускай вас не вводит в заблуждение указанная в даташите максимальная рассеиваемая мощность транзисторов. В линейном режиме лучше стараться не превышать 25-30% от заявленной так как может начаться выход из строя ячеек кристалла транзистора (полевые транзисторы как бы набраны из большого количества мелких).

[zoog]

Получилось по 25 Ватт на каждый из транзисторов

В линейном режиме лучше стараться не превышать 25-30%

Источник темнит. Получается, с IRFP250 не в линейном режиме он бы снял 75..100Вт - это практически нереально для 190-ваттного транзистора. Для радиатора 1К/Вт (около 1200кв.см) без прокладки макс. безопасная мощность - 39Вт. То есть в линейном - ещё меньше, и если в 3..4 раза, то на фиг нужны такие камни.
Для средненького усилителя НЧ - нормалёк, 10мс - как раз соответствует периоду частоты 10Гц, даже с 5-крастным запасом.

[genao]

То есть в линейном - ещё меньше, и если в 3..4 раза,

Из первой ссылки поста https://kazus.ru/forums/showpost.php...postcount=174#
, там вообще в 6 раз

На рис. 3 проиллюстрированы данные из таблицы 1, а также теоретические кривые ОБР-П, построенные из условий постоянства рассеиваемой мощности при температурах TJ = 175 °C и TC = 75 °C и 25 °C. Обратите внимание, насколько меньше действительная область ОБР-П, чем те, что получены расчетным путем на основании постоянства рассеиваемой мощности и ограниченные только тепловым сопротивлением (представлены кривыми для температур TC = 25 °C и 75 °C). В большинстве документов публикуются кривые ОБР-П для температуры корпуса 25 °C. Если полагаться на эти данные, то окажется, что при больших напряжениях ток может быть в 6 раз больше, чем на самом деле способен пропустить силовой транзистор!

На рис. 3 показана аппроксимирующая кривая, построенная по результатам тестирования на отказ при протекании постоянного тока (статическая ОБР-П). Затем, пользуясь данными по переходным тепловым сопротивлениям, были построены ОБР-П при импульсном протекании тока (импульсные ОБР-П). Результат показан на рис. 4. Полученные кривые являются рабочими ОБР-П силового транзистора APT200GN60J. Использование температуры перехода 125 °C (ниже температуры, при которой происходит повреждение силового транзистора) позволяет создать некоторый запас надежности. Обратите внимание, если сопоставить кривую статической ОБР-П с кривой испытания на отказ на рис. 3, то первая кривая окажется ниже. Именно так нужно поступать при использовании силового транзистора в линейном режиме, принимая запас минимум в 20 °C относительно средней температуры перехода, при которой наступает отказ.

[zoog]

там вообще в 6 раз

По публикациям типа ключевой против линейного (=новый против старого) - там и более 10 раз в области десятков вольт. То есть неизвестные мосфеты в линейном режиме использовать - нельзя.