Что такое Uкэmax

[zoog]

Похоже, что справочники предполагают, что включённый (невыключенный до конца) транзистор управляется от источника тока. Мне это кажется противоречащим всем рекомендациям и практическим схемам управления.

[genao]

Вот еще апнот AN875 от onsemi AN875-D.PDF

Looking one step further, increasing current density with collector voltage can be explained by collector-base depletion. As collector voltage is increased, depletion into the metallurgical base increases. The electrical base width is thereby narrowed, causing an increase in the lateral resistance of the base underneath the emitter. In turn, base current to the center of the emitter finger is choked off, limiting the amount of current flowing through the center of the finger. With very little current flowing through the center, current flow is restricted to the edges. This restriction results in a high current density at the edge, which gets higher as collector voltage is increased. Before ending the discussion of voltage sensitivity, it is worth spending a few moments to consider VCEO(sus), the limit at the right hand side of the FBSOA curve. There is a point worthy of emphasis. Namely, that VCEO(sus) is an instantaneous limitation. Any excursion of the turn-on load line beyond VCEO(sus), or any condition where VCE › VCEO(sus) with forward bias current applied, risks failure of the transistor.

Если посмотреть еще на один шаг, увеличение плотности тока с помощью напряжения коллектора можно объяснить истощением перехода база-коллектора. По мере увеличения напряжения на коллекторе истощение в металлургическом основании увеличивается. Таким образом, ширина электрического основания уменьшается, что приводит к увеличению поперечного сопротивления основания под эмиттером. В свою очередь, базовый ток к центру эмиттерного пальца перекрывается, ограничивая количество тока, протекающего через центр пальца. При очень небольшом токе, проходящем через центр, ток ограничивается краями. Это ограничение приводит к высокой плотности тока на краю, которая становится выше при увеличении напряжения коллектора. Прежде чем закончить обсуждение чувствительности к напряжению, стоит потратить несколько минут, чтобы рассмотреть VCEO (sus), предел в правой части кривой FBSOA. Есть момент, достойный внимания. А именно, что VCEO (sus) является мгновенным ограничением. Любое отклонение от линии нагрузки при включении за пределами VCEO (sus) или любое условие, когда VCE› VCEO (sus) с приложенным прямым током смещения, рискует выйти из строя транзистора.

Где говорится, что при напряжениях близким к VCEO (sus) идет увеличение плотности плотности тока за счет вытеснения тока к краям эмиттера.

[zoog]

Пока что увидел предостережение от "избыточного" тока базы при выключении, насчёт значения которого есть лишь ориентировочные данный. При этом в некоторых ДШ база выключается источником напряжения с ‹del›практически‹/del›теоретически неограниченным током.
Кажется, что FBSOA измеряют при запитке базы от источника тока и потому получают правую границу такую плохую. На самом деле я так не думаю, но имеющаяся информация свидетельствует в полльзу этого объяснения..