Источники питания и свет Актуальные вопросы и ответы по источникам питания, световому оборудованию. |
06.11.2021, 11:40
|
|
Заблокирован
Регистрация: 27.07.2011
Адрес: Харьков
Сообщений: 8,236
Сказал спасибо: 4,687
Сказали Спасибо 11,565 раз(а) в 3,474 сообщении(ях)
|
Re: Практикум разработчика электроники
Сообщение от AlekseyPotapov
|
Сейчас вовсю развиваются SiC компоненты, теоретически они должны вытиснить
|
Не читали бы Вы "советских газет перед едой"
.
Сообщение от AlekseyPotapov
|
в сварочных инверторах на 380В три фазы, каких MOSFET применяют?
|
Вот первая нагугленная тема: Кто такой TIG 315 P AC/DC и чему его научили китайцы
Цитата, 8 сообщение:
Цитата:
|
- Частота преобразования в девайсе 150кГц. Кроме ШИМ есть какая-то хитрая-глубокая обратная связь вторичной обмотки с первичной. Короче, ВАХ в режимах ММА и TIG - точно разная.
- Девайс нашпигован грамотной защитой, т.е. ежели чего не так, он вырубается и уходит в защиту. Как утверждают, если не отключать защиту, то взорваться внутри ни чего не может.
|
Частота говорит сама за себя, комментарии излишни.
Справедливости ради, надо сказать, что сейчас применяют и IGBT, очевидно, как и в однофазных.
.
Сообщение от AlekseyPotapov
|
Например на старых сварочника часто меняли MOSFET на IGBT потому что цена MOSFET была просто космос!
|
И вот что получается в результате, потому что дедтайм IGBT нужен в разы больший, чем мосфет: Транзисторы сгорают при включении
.
Сообщение от AlekseyPotapov
|
Это значит, что если есть циркуляция энергии, как например у частотников, то у MOSFET этот диод нужно выключать, иначе он сгорит сразу! 12nS включение и 254nS восстановление!
|
И что? Выключается он все-равно очень быстро, а что диод медленный, так это в основном обходится открыванием мосфета, на диод которого перебрасывается ток, схема с фазовым управлением. Без никаких дополнительных корпусов. А IGBT может зашунтировать собой свой обратный диод? То-то. У каждого прибора свои преимущества и недостатки.
.
Сообщение от AlekseyPotapov
|
возьмем ток для обоих ключей и температуру 150 градусов.
Для IPW60R060P7
16 * 16 * 0,115 = 29,44 Вт
30 * 30 * 0,115 = 103,5 Вт
48 * 48 * 0,115 = 264,96 Вт
Для IRGP4063D (напомню, что IGBT насыщаются):
16 * 2 = 32 Вт
30 * 2 = 60 Вт
48 * 2 = 96 Вт
|
Ни один нормальный разработчик не будет эксплуатировать ключ при 150 градусах. Обычно 50-60.
Что, не понравилось, что мосфет при 16А выигрывает более чем вдвое?
И это только по статическим потерям, по динамическим разница - космос.
И не надо рассказывать, что это же дескать, корпуса температура, а кристалла резко подскочит - при мощности 15 Вт на таком мосфете это просто не актуально, а вот если выжимать по 50-70А в импульсе, как в IGBT, то тогда да, от того у них срок работы и ограничен.
.
Сообщение от AlekseyPotapov
|
Как видим что перегрузочная способность IGBT принципиально выше, чем у MOSFET!
|
Да, это так, и я тоже об этом уже говорил.
Вот только в жизни, в сварочниках ни разу не видел, чтоб защита успевала спасать IGBT, даже при том, что у нее есть ажно целых 10мкс, которые те выдерживают КЗ. Стреляют они, тока в путь.
Правда, в частотниках - видел, КЗ на выходе обычно отрабатывают без бабаха.
...
У мосфета действительно квадратичная (квадратурная это из другой области) зависимость выделяемой мощности от тока, да только начитавшись рекламных проспектов про IGBT, вы как и многие, забываете, что это работает и в обратную сторону: при снижении тока мощность на кристалле РЕЗКО ПАДАЕТ !!!
Этим нужно просто умело пользоваться, и тогда аппаратура в плане надежности ключей будет "вечной", но у нынешних ее создателей несколько иные цели, для которых более дешевые но с ограниченным ресурсом IGBT подходят как нельзя лучше!
|
|
|
|
06.11.2021, 12:30
|
|
Заблокирован
Регистрация: 27.07.2011
Адрес: Харьков
Сообщений: 8,236
Сказал спасибо: 4,687
Сказали Спасибо 11,565 раз(а) в 3,474 сообщении(ях)
|
Re: Практикум разработчика электроники
Сообщение от Ан-162
|
Этим нужно просто умело пользоваться, и тогда аппаратура в плане надежности ключей будет "вечной"
|
У меня их теперь достаточно, чтоб параллелить, и весьма недорого. (фото)
Проверил вчера - 0,05 Ом, 680в граничное, быстродействие охренительное - оригиналы.
А что ножки короткие - так это плата за то, что оригинал. (это распай)
Определить подделка ли мосфет перед тобой не просто, а очень просто - нужно измерить выше приведенные параметры. В простейшем случае, это можно сделать даже имея лишь тестер, источник напряжения 10в 1А, и резистор 9,1-10 Ом. (Rdc.on)
Одного этого уже достаточно, чтоб понять, оригинал ли.
По напряжению поможет меггер на 1000в, либо простейший умножитель на 4007 и электролитах 2,2-4,7мкФ (все берется из сгоревших КЛЛ)
По быстродействию без осцилла и хорошего драйвера уже никак.
Я проверял именно с их помощью.
А вот определить, настоящий ли IGBT перед тобой - проблемка та еще.
Именно потому, что они насыщаются. Можно примерно только, если есть существенное отличие в напряжении насыщения.
Ну или огромные импульсы тока через них пропускать, по 50-70А, тогда видно.
Но разница в 0,2-0,3 вольта будет явным аргументов для нас, но не для продавца, особенно из Китая, площадка на Али при рассмотрении спора просто пошлет на три буквы с такими аргументами, в последнее время это массово начинается.
Я вообще перестал покупать там новые IGBT и мосфеты - все они сплошь подделки, в большей или меньшей степени. Цена не показатель.
Только распай.
Мне работать нужно, а не споры вести с китайцами целыми днями.
...
На новые же самые классные - цена просто космос.
Вот что мне ответил поставщик, у которого брал этот распай:
Цитата:
|
IXFN100N65X2 this is not disassembled, only brand new! But the price is very high:
34USD/1PCS
|
Хотя я у него спрашивал про IXFX100N65X2
Последний раз редактировалось Ан-162; 06.11.2021 в 13:16.
|
|
|
|
06.11.2021, 14:09
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 17.05.2005
Адрес: Украина
Сообщений: 1,958
Сказал спасибо: 292
Сказали Спасибо 494 раз(а) в 359 сообщении(ях)
|
Re: Практикум разработчика электроники
Сообщение от Ан-162
|
Я вообще перестал покупать там новые IGBT и мосфеты - все они сплошь подделки, в большей или меньшей степени. Цена не показатель.
Только распай.
|
Есть такое мнение.
Цитата:
|
Ждать пока лаовай закажет имеющийся транзистор бывает долго. Гораздо проще подогнать имеющееся под требуемое. Кроме того, бывает так, что один подвал перемаркирует, а второй — продаёт ни о чем не подозревая.
|
|
|
|
|
06.11.2021, 15:21
|
|
Заблокирован
Регистрация: 27.07.2011
Адрес: Харьков
Сообщений: 8,236
Сказал спасибо: 4,687
Сказали Спасибо 11,565 раз(а) в 3,474 сообщении(ях)
|
Re: Практикум разработчика электроники
estet, не без того, всяко бывает.
Нормального прода найти нужно тоже постараться.
Я первично тестировал партию на предмет пробитых - ни одного.
Одновременно по напряжению на обратном диоде - во всей партии разброс в пределах 2-3 мВ, некоторые до 5, что говорит о том, что в ней нет "вбросов" как в статье, что Вы привели.
А также на "открываемость" от 3 вольт несколько штук и на утечку по затвору и сток-исток на пределе 60 МОм - ни один не показал ничего.
Вот залил видео, если кому интересно.
(за качество звыняйте, снимал с телефона, да еще перекодировка при обрезке...)
Но вероятность какая-то нарваться конечно есть всегда.
Последний раз редактировалось Ан-162; 06.11.2021 в 16:30.
|
|
|
|
06.11.2021, 16:39
|
|
Прописка
Регистрация: 23.12.2019
Сообщений: 135
Сказал спасибо: 9
Сказали Спасибо 58 раз(а) в 39 сообщении(ях)
|
Re: Практикум разработчика электроники
Сообщение от Ан-162
|
Не читали бы Вы "советских газет перед едой"
|
Ох, как много последнее время появилось Шариковых, считающих себя Преображенскими!
Цитата:
|
Частота говорит сама за себя, комментарии излишни.
|
Еще раз, вопрос был конкретный, марка ключей!
Китайский буклетик мне не нужен.
Цитата:
|
Справедливости ради, надо сказать, что сейчас применяют и IGBT, очевидно, как и в однофазных.
|
Не ужели Вы реально не понимаете о чем речь, или просто поспорить?
Цитата:
|
И вот что получается в результате, потому что дедтайм IGBT нужен в разы больший, чем мосфет:
|
Мертвое время можно подрегулировать, и разговор идет за одни из первых инверторов, там мертвое время было конское.
Цитата:
|
И что? Выключается он все-равно очень быстро, а что диод медленный, так это в основном обходится открыванием мосфета.
|
Если например нижний ключ, откроется на верхний открытый диод, при этом очень быстро, то кристалл сразу превратиться в пар, и никакая защита не поможет.
Ради этого, часто фронты затягивают, просто по зверски!
Кстати на высоких частотах это очень актуально, при проектировании, например LLC, нужно следить, чтобы мы никогда не переходили в емкостной регион!
Цитата:
|
У каждого прибора свои преимущества и недостатки.
|
Так, а кто об этом спорит, тут кто-то утверждает что IGBT, это исключительно заговор империалистов!
Цитата:
|
Ни один нормальный разработчик не будет эксплуатировать ключ при 150 градусах. Обычно 50-60.
|
Вы лучше вместо советских ГОСТов, причитайте документацию от производителе, где они объясняют, смысл цифр приведенных в даташитах.
А то получается, что Вы их прост, не понимаете.
Цитата:
|
Что, не понравилось, что мосфет при 16А выигрывает более чем вдвое?
|
Это сравнительная характеристика, чтобы показать динамику, от нее зависит перегрузочная способность и количество ключей, необходимых чтобы иметь преимущества перед IGBT, по статике!
Мы же помним, что рассматриваемы MOSFET стоит в три раза дороже, чем IGBT, и по Вашей логике с током в три раза меньше!
Давайте предположим, что вместо MOSFET, которых нужно как минимум три штуки, мы поставим 9 IGBT. Это будет тупо, но надежно, и хвоста там не будет, ток то вообще будет 5А через ключ. Такой аппарат можно будет только разбить, спалить не выйдет!
Цитата:
|
И это только по статическим потерям, по динамическим разница - космос.
|
В резонансниках, при переключении в нулях тока, динамические потери будут очень низкими.
Цитата:
|
Вот только в жизни, в сварочниках ни разу не видел, чтоб защита успевала спасать IGBT, даже при том, что у нее есть ажно целых 10мкс, которые те выдерживают КЗ. Стреляют они, тока в путь.
Правда, в частотниках - видел, КЗ на выходе обычно отрабатывают без бабаха.
|
Странно, правда, а в чем же дело?
И мосфетов в частотниках не найти, ох уже эти, начитаються рекламных буклетов!!!
Цитата:
|
Этим нужно просто умело пользоваться, и тогда аппаратура в плане надежности ключей будет "вечной"
|
"Вчера на улице ко мне подошла старуха и предложила купить вечную иглу для примуса. Вы знаете, Адам, я не купил. Мне не нужна вечная игла, я не хочу жить вечно."
Вы такой умный, аж страшно, вопрос цены таких вечных штук, кто за нее будет платить?
Цитата:
|
но у нынешних ее создателей несколько иные цели, для которых более дешевые
|
Конечно да, в начале века, инвертора по 1000$ стоили, за 160А и были далеко не вечные.
Экономическая часть, является ключевой, всегда, просто Вы ремонтник, да еще погляжу, не брезгуете БУ компонентами, поэтому Вам кажется, что все так просто!
|
|
|
|
06.11.2021, 16:43
|
|
Прописка
Регистрация: 23.12.2019
Сообщений: 135
Сказал спасибо: 9
Сказали Спасибо 58 раз(а) в 39 сообщении(ях)
|
Re: Практикум разработчика электроники
Сообщение от Ан-162
|
А вот определить, настоящий ли IGBT перед тобой - проблемка та еще.
|
По емкости затвора определяются безошибочно, но и внешний вид, сразу видно если спилен.
Кстати на алике, оригинальные компоненты можно купить, или дорого, или БУ с разборки!
Последний раз редактировалось AlekseyPotapov; 06.11.2021 в 16:51.
|
|
|
|
06.11.2021, 17:32
|
|
Заблокирован
Регистрация: 27.07.2011
Адрес: Харьков
Сообщений: 8,236
Сказал спасибо: 4,687
Сказали Спасибо 11,565 раз(а) в 3,474 сообщении(ях)
|
Re: Практикум разработчика электроники
Сообщение от AlekseyPotapov
|
как много последнее время появилось Шариковых, считающих себя Преображенскими!
|
Ох, и не говорите, прям беда!
Сообщение от AlekseyPotapov
|
вопрос был конкретный, марка ключей!
|
Я не увидел в той теме, она весьма обширна.
Но Вы же понимаете, там наверняка мосфеты на 500-600 вольт, и трехуровневая схема питания по DC.
Сообщение от AlekseyPotapov
|
Не ужели Вы реально не понимаете о чем речь
|
Понимаю конечно. Ужели нам не понимать.
Сообщение от AlekseyPotapov
|
Если например нижний ключ, откроется на верхний открытый диод
|
Я в курсе, не повторяйтесь.
Сообщение от AlekseyPotapov
|
где они объясняют, смысл цифр приведенных в даташитах.
А то получается, что Вы их прост, не понимаете
|
Понимаю, просто не упоминал про сопротивление корпус-кристалл и тепловую постоянную, наивно полагая что Вы понимаете, что при 12-15 Вт да в таком корпусе ими можно просто пренебречь, те несколько градусов разницы, это ни о чем.
Сообщение от AlekseyPotapov
|
Давайте предположим, что вместо MOSFET, которых нужно как минимум три штуки, мы поставим 9 IGBT. Это будет тупо, но надежно, и хвоста там не будет, ток то вообще будет 5А через ключ.
|
Это нихрена не будет надежно, потому как хвост будет, и он станет гораздо длиннее.
Не стоит Вам компрометировать себя такими поверхностными высказываниями.
Дело в том, что у IGBT время рассасывания хвоста тока зависит от величины самого тока, потому что в основе-то лежит биполяр с его накоплением избыточного заряда.
И чем ниже ток, тем больше затягивается хвост, пока высосет весь избыточный заряд.
Сообщение от AlekseyPotapov
|
Вы ремонтник, да еще погляжу, не брезгуете БУ компонентами
|
Это потому что рынок полон шлака (подделок)
Сообщение от AlekseyPotapov
|
Кстати на алике, оригинальные компоненты можно купить, или дорого, или БУ с разборки!
|
Сами себе следом противоречите, по поводу моей покупки б/у.
Сообщение от AlekseyPotapov
|
По емкости затвора определяются безошибочно, но и внешний вид, сразу видно если спилен.
|
Емкость затвора это один из ориентиров, но не безошибочный.
И подделки по внешнему виду бывают ну очень точно сделанные, от оригинала неотличимо.
|
|
|
|
06.11.2021, 19:22
|
|
Прописка
Регистрация: 23.12.2019
Сообщений: 135
Сказал спасибо: 9
Сказали Спасибо 58 раз(а) в 39 сообщении(ях)
|
Re: Практикум разработчика электроники
Сообщение от Ан-162
|
Это нихрена не будет надежно, потому как хвост будет, и он станет гораздо длиннее.
|
Я не знаю, зачем я трачу время на все это, вообще пусто!!!
Я понимаю, что многого прошу, но вы хотя бы немножко включите голову, что за хвост такой и какова его природа!
Последний раз редактировалось AlekseyPotapov; 06.11.2021 в 19:37.
|
|
|
|
06.11.2021, 19:25
|
|
Прописка
Регистрация: 23.12.2019
Сообщений: 135
Сказал спасибо: 9
Сказали Спасибо 58 раз(а) в 39 сообщении(ях)
|
Re: Практикум разработчика электроники
Сообщение от Ан-162
|
Но Вы же понимаете, там наверняка мосфеты на 500-600 вольт, и трехуровневая схема питания по DC.
|
Наверняка, всего ничего!
Конечно, трехуровневая схема проще, надежней и дешевле, чем ключи на 1200В!
И и эффективнее наверняка!
|
|
|
|
06.11.2021, 22:06
|
|
Заблокирован
Регистрация: 27.07.2011
Адрес: Харьков
Сообщений: 8,236
Сказал спасибо: 4,687
Сказали Спасибо 11,565 раз(а) в 3,474 сообщении(ях)
|
Re: Практикум разработчика электроники
Сообщение от AlekseyPotapov
|
Я понимаю, что многого прошу, но вы хотя бы немножко включите голову, что за хвост такой и какова его природа!
|
Дело в том, что Вы смотрите какие-то графики в интернете, на пятикиловольтовые IGBT, которых, подозреваю, и в руках не держали, а я недавно тестировал 50JR22 и очень удивился, что на малых токах он выключался несколько микросекунд, а на больших весьма быстро. (задержки чуть повыше у них, но фронт и спад очень крутые)
Они хоть и не предназначены по даташиту для жесткой коммутации, но в сварочники их ставят довольно много, работают хорошо.
|
|
|
|
Ваши права в разделе
|
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения
HTML код Выкл.
|
|
|
Часовой пояс GMT +4, время: 18:51.
|
|