Загадки трансформатора

[COO]

Потому что быстрое закрытие ключа с прерыванием тока дает большое dI/dt.

Я имел ввиду, какое отличие от стандартной однотактной обратноходовой схемы.

[COO]

Если-бы Вы все "карты" выложили сразу, "воды" было-бы гораздо меньше.

При открывании транзистора (любого) происходит линейное нарастание магнитного поля в индуктивности. Никакого программирования нет, оно вырастет до величины определяемой индуктивность-напряжение-время. После закрывания транзистора оно никуда чудесным образом не денется. Последствием его "исчезновения" является ЭДС самоиндукции, выраженное в появлении напряжения обратной полярности на всех обмотках. Напряжение будет увеличиваться до бесконечности (теоретически), а практически пока не найдёт "дырочку". В этот момент необходимо открыть ключ, чтобы "отправить" запасённую энергию в нагрузку. Если отбора энергии на выходе не произойдёт, то увеличивающееся напряжение откроет внутренний диод транзистора и уйдёт в источник питания. А если транзисторы без диодов, то происходит их пробой.

[vgg]

Я полагаю, расти будет не до бесконечности, а пока вся энергия из индуктивности не перейдёт в ёмкость - нагрузки, катушки, паразитных емкостей и прочее. Если накоплена не слишком большая энергия для конкретной ёмкости, то и напряжение будет не слишком велико.

[Falconist]

Если бы Вы все "карты" выложили сразу, "воды" было бы гораздо меньше.

К сожалению, очень распространенная "болезнь" большинства топикстартеров, особенно начинающих. Почему-то думают, что на форумах собрались исключительно экстрасенсы. Приходится буквально "тянуть за язык"...

Я полагаю, расти будет не до бесконечности, а пока вся энергия из индуктивности не перейдёт в ёмкость - нагрузки, катушки, паразитных емкостей и прочее...

COO ведь четко написал:

Напряжение будет увеличиваться до бесконечности (теоретически), а практически...

IMHO очень ясно и понятно...

[COO]

Я полагаю, расти будет не до бесконечности....

Согласен. Но если всё подробно описывать получится небольшая книжица. Но обычно, чтобы пробить транзисторы, хватает.

[vsch8]

При открывании транзистора (любого) происходит линейное нарастание магнитного поля в индуктивности. Никакого программирования нет, оно вырастет до величины определяемой индуктивность-напряжение-время.

В чем разница между работой без нагрузки и с нагрузкой по описанному в вопросе алгоритму? Напряжение неизменно, время действия напряжения в каждом цикле неизменно,индуктивность L что меняет? А ток разный.

Последствием его "исчезновения" является ЭДС самоиндукции, выраженное в появлении напряжения обратной полярности на всех обмотках. Напряжение будет увеличиваться до бесконечности (теоретически), а практически пока не найдёт "дырочку". В этот момент необходимо открыть ключ, чтобы "отправить" запасённую энергию в нагрузку. Если отбора энергии на выходе не произойдёт, то увеличивающееся напряжение откроет внутренний диод транзистора и уйдёт в источник питания. А если транзисторы без диодов, то происходит их пробой.

В моем случае при установившемся режиме работы как с нагрузкой так и без, напряжение на вторичной обмотке при выключенных входных транзисторах равно примерно напряжению на первичной при включенных входных транзисторах. Бросок напряжения на вторичной возникнет при резком отключении включенной ранее нагрузки. А без этого все как-то согласованно получается: лишней запасенной энергии нет.

[tauP10]

В моем случае при установившемся режиме работы как с нагрузкой так и без, напряжение на вторичной обмотке при выключенных входных транзисторах равно примерно напряжению на первичной при включенных входных транзисторах.

Это потому что энергия индуктивности с током нашла "дырочку" (COO писал Вам) , открыв противоположный транзистор "сама" без помощи даже управляющего напряжения на базу транзисторного ключа. Можете убедиться сами, осциллографом посмотрите что делается на базе транзистора, когда противоположный транзистор выключается и нагрузка отключена постоянно. На базе будет импульсное отрицательное напряжение пробоя база-эмиттерного перехода. Такой пробой не вызовет выхода из строя транзистор, если запасенный в индуктивности ток меньше предельного тока базы. Конечно предполагается что отрицательное напряжение Вы увидите , если в базе резистор стоит , на котором ток самоиндукции первичной обмотки сможет создать напряжение в соответсвии с законом Ома.

[mtit]

А ШИМ-контролёр присутствует в схеме?

[vsch8]

Можете убедиться сами, осциллографом посмотрите что делается на базе транзистора, когда противоположный выключается и нагрузка отключена постоянно. На базе будет импульсное отрицательное напряжение пробоя база-эмиттерного перехода.

Посмотрю на всякий случай, надо только собрать все снова воедино. Но опыт подсказывает, что на базе должно быть все чисто, без минусов, иначе кпд был бы плохой. А так без нагрузки потери ничтожны. Да и скачков напряжения, иголок, не наблюдал. Я сделал маленькие перерывы между всеми 4 тактами работы чтобы не было сквозных токов. Про напряжение базы сегодня-завтра напишу. Может еще что проверить? Я думал посмотреть реакцию на периодическое включение-отключение нагрузки, но вроде и так представляю, а понять природу не могу. Или забыл.

[vsch8]

Никаких обратных связей в схеме нет. Как описал, никаких регулирований. Микросхема управления выдает монотонно сигналы на ключи-транзисторы независимо ни от чего, пока есть питание.