Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

IGBT-транзисторы с напряжением коллектор-эмиттер до 650 В, выполненные по технологии TRENCHSTOP™ 5


Технология изготовления IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™5 от компании Infineon меняет представление о понятии «лучший в своём классе устройств» и обеспечивает непревзойдённую эффективность в приложениях с жесткими условиями переключения.

Новое семейство IGBT-транзисторов является большим инновационным шагом навстречу будущим требованиям рынка к максимальной эффективности. Транзисторы оптимизированы для применения в схемах коррекции коэффициента мощности и ШИМ-преобразователях в таких приложениях, как инверторы солнечных панелей, источники бесперебойного питания, инверторы сварочных аппаратов и другие системы с жесткими условиями переключения.

Отличительные особенности:

  • Новый эталон эффективности для «лучших в своём классе» устройств
  • Самые низкие потери на переключение
  • Напряжение насыщения коллектор-эмиттер VCE(sat) на 10% ниже, чем у транзисторов предыдущего поколения
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер VBR 650 В
  • Температурная стабильность падения напряжения на встроенном встречно-параллельном диоде
  • Сниженный в 2,5 раза по сравнению с семейством HighSpeed 3 заряд затвора QG

Преимущества IGBT-транзисторов TRENCHSTOP™ 5:

  • Лучшая в своем классе устройств эффективность, благодаря которой снижена температура перехода и корпуса и увеличена надёжность
  • Допустимый уровень импульсного перенапряжения в питающей линии: 50 В
  • Конструкция транзистора с повышенной плотностью мощности

Область применения:

  • Сварочные аппараты
  • Источники бесперебойного питания
  • Инверторы солнечных батарей


Источник: gaw.ru | Дата публикации: 06/01/2014

Предыдущая новость: SAMD20 — новая серия микроконтроллеров на базе ядра ARM Cortex-M0+ от Atmel Следующая новость: SST11LF04 - новый 5 ГГц модуль обработки сигналов WLAN для приложений IEEE 802.11a/n/ac от Microchip

Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2021 «KAZUS.RU - Электронный портал»