Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

DMN10H120SFG — 100-вольтовые MOSFET, оптимизированные для приложений PoE от компании Diodes


Компания Diodes представила MOSFET DMN10H120SFG, разработанный для использования в качестве переключающего элемента в 48-вольтовых системах PoE (питание по кабелю Ethernet), соответствующих стандарту IEEE 802.3. Этот переключатель позволяет по кабелю Ethernet передавать энергию к конечному оборудованию, такому как беспроводные точки доступа, телефоны VoIP, кассовые терминалы, системы связи, IP-камеры систем безопасности и устройства управления зданиями.

В питающем оборудовании, например, в маршрутизаторах LAN и PoE-инжекторах, этот n-канальный 100-вольтовый MOSFET коммутирует питание в сетевом кабеле CAT5 (CAT6). В этом случае кабель обеспечивает как передачу данных, так и питание, сокращая общую стоимость системы благодаря возможности исключения источника питания в конечном оборудовании. Кроме того, транзистор обеспечивает защиту конечных пользователей, поскольку PoE работает в диапазоне от 44 В до 57 В, что соответствует категории безопасного сверхнизкого напряжения (SELV) 60 В, благодаря чему исчезает необходимость в тщательной изоляции и сертификации конечного оборудования, а также упрощается его техническое обслуживание. При работе на таких уровнях напряжения потери активной энергии минимальны, что помогает максимально увеличить мощность, доходящую до конечного оборудования, и повысить его эффективность.

DMN10H120SFG

При пробивном напряжении 100 В транзистор DMN10H120SFG обеспечивает достаточный запас для работы PoE с напряжением 48 В. DMN10H120SFG имеет расширенную область безопасной работы, позволяющую выдерживать мощность, рассеиваемую в условиях короткого замыкания, например, при обрыве кабеля Ethernet, до того момента, пока контроллер PSE не обнаружит неисправность и не отключит подачу питания. При подобной неисправности MOSFET переходит в линейный режим и должен отводить мощность 30 Вт в течение, как минимум, 20 мс, на что и способен новый транзистор, даже при повышенной рабочей температуре +60 °C.

DMN10H120SFG поставляется в компактном корпусе PowerDI3333. В составе обширного семейства 100-вольтовых транзисторов DMN10H Diodes также предлагает приборы в корпусах SOT23, SOT223 и TO252 (DPAK). Устойчивые к лавинному пробою DMN10H099SK3, например, в корпусе TO252, проходят 100% тестирование на отсутствие защелкивания при коммутации индуктивной нагрузки (UIS), чтобы гарантировать, что транзистор сможет выдержать импульс энергии при переключении таких нагрузок, как катушки, двигатели и реле. 


Источник: www.rlocman.ru | Дата публикации: 16/11/2015

Предыдущая новость: ARM снижает проектные риски при создании микросхем для Интернета вещей Следующая новость: LM74610-Q1 — контроллер интеллектуальных диодов компании Texas Instruments с нулевой мощностью

Реклама на сайте


Последние новости    Новости электронной индустрии в формате RSS

[06/02/2019] Конференция в МГТУ им. Баумана «Технологии разработки и отладки сложных технических систем» 2019

[09/05/2018] Грандиозная майская распродажа на Gearbest!

[16/05/2017] С 15 по 17 мая в магазине Gearbest проходит грандиозный флэшсейл

[10/05/2017] Так что же такое Спиннер?

[05/12/2016] Новый Год и Рождество с GearBest!

[29/09/2016] Всемирный День Интернета на GearBest

Читать все новости >>


© 2003—2021 «KAZUS.RU - Электронный портал»