 |
Поиск Datasheets |
|
| 1N5820_1 |
3.0 AMPS. Schottky Barrier Rectifiers |
Taiwan Semiconductor Company, Ltd |
 |
|
1N5820_1 Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
1N5820_1 и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| BAS19LT3G |
High Voltage Switching Diode |
ON Semiconductor |
|
| 0460071105 |
7.50mm (.295") Pitch Sabre Header, Single Row, Right Angle, 5 Circuits, PC Tail Length 5.33mm |
Molex Electronics Ltd. |
|
| 406C13B15.999 |
3.5 x 6.0 mm Ceramic - SM Crystal |
CTS Corporation |
|
| ATF22V10CQ-15SC |
Highperformance EE PLD |
ATMEL Corporation |
|
| 1N5820_10 |
3.0A SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS |
Diodes Incorporated |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
