CY7C1165V18-333BZXC Datasheet

CY7C1165V18-333BZXC - 18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency) by CYPRESS

Название/Part No:

CY7C1165V18-333BZXC

Описание/Description:

18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)

Производитель/Maker:

Cypress Semiconductor (CYPRESS)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

CY7C1165V18-333BZXC и другие

Компонент	Описание	Производитель	PDF
1SS286	Silicon Schottky Barrier Diode for Various Detector, High Speed Switching	Renesas Technology Corp
CY7C1161V18-333BZXI	18-Mbit QDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture (2.5 Cycle Read Latency)	Cypress Semiconductor
592D107X-004D2-15H	Solid Tantalum Chip Capacitors TANTAMOUNT, Low Profile, Conformal Coated, Maximum CV	Vishay Siliconix
066R332U050HL2	Standard, Axial Leaded, Aluminum	List of Unclassifed Manufacturers
592D107X-010R2-15H	Solid Tantalum Chip Capacitors TANTAMOUNT, Low Profile, Conformal Coated, Maximum CV	Vishay Siliconix

Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей

Реклама на сайте