 |
Поиск Datasheets |
|
| 2N6427 |
NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR |
Samsung semiconductor |
 |
|
2N6427 Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
2N6427 и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| 0702871058 |
2.54mm (.100") Pitch C-Grid Header, Breakaway, Dual Row, Vertical, with Retention Pin, 22 Circuits, 8.13mm |
Molex Electronics Ltd. |
|
| CY7C1317BV18-167BZXC |
18-Mbit DDR-II SRAM 4-Word Burst Architecture |
Cypress Semiconductor |
|
| BZX79-A36 |
Voltage regulator diodes |
NXP Semiconductors |
|
| 0702871040 |
2.54mm (.100") Pitch C-Grid^ Header, Breakaway, Dual Row, Vertical, with Retention Pin, 84 Circuits, 6.10mm (.240") Mating Pin Length, Tin (Sn) Plating |
Molex Electronics Ltd. |
|
| 2N6426G |
Darlington Transistors NPN Silicon |
ON Semiconductor |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
