|
Поиск Datasheets |
|
2SA1329 |
SILICON PNP EPITAXIAL TYPE (PCT PROCESS) |
Toshiba Semiconductor |
|
|
2SA1329 Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
2SA1329 и другие |
|
Компонент | Описание | Производитель | PDF |
0753416674 |
1.85mm by 1.85mm (.073 by .073") Pitch 4-Pair GbX Backplane Connector System, Power Module |
Molex Electronics Ltd. |
|
125144U7R5AF1B |
Type 125 -55 jC to 125 jC, Ultra-High Temperature, Military Grade |
Cornell Dubilier Electronics |
|
2.5MSFW-O |
Minimodul-Steckverbinder, Raster 2,5 mm |
Lumberg |
|
BZX84C3V9 |
Plastic-Encapsulate Diode |
Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd |
|
AM4T-1215DH35-VZ |
4 Watt | DC-DC Converter |
AIMTEC |
|
| |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|