 |
Поиск Datasheets |
|
|
BE12-1A85-P Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
BE12-1A85-P и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| 2SC2383_06 |
Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) |
Toshiba Semiconductor |
 |
| 203-10.0M-SR-15LW |
SMD Quartz Crystal |
Oscilent Corporation |
|
| C-13-DFB10-TK-SSC2I-HT-01 |
10Gbps 1310 nm 0 ~ 85jC MQW-DFB Laser Diode Module-Differential TOSA |
Source Photonics, Inc. |
|
| 2SC2389S |
High-voltage Amplifier Transistor(120V, 50mA) |
Rohm |
|
| CCL450DK2-EX |
6 and 12 Volt, 75 to 450 Watts Wet Cell Lead Calcium Battery |
List of Unclassifed Manufacturers |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
