 |
Поиск Datasheets |
|
| BG3123R |
DUAL N-Channel MOSFET Tetrode |
Infineon Technologies AG |
 |
|
BG3123R Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
BG3123R и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| 2SD2275 |
Silicon NPN triple diffusion planar type Darlington(For power amplification) |
Panasonic Semiconductor |
|
| 0877604816 |
2.00mm (.079) Pitch Milli-Grid Header, Right Angle, Through Hole, 48 Circuits, 0.38lm (15l) Gold (Au) Selective Plating, Tray, Lead-free |
Molex Electronics Ltd. |
|
| 14-60-5033 |
ASSEMBLY, SL CONNECTOR SINGLE. ROW 2.54 / . 100 GRID |
Molex Electronics Ltd. |
|
| BG3123R |
DUAL N-Channel MOSFET Tetrode |
Infineon Technologies AG |
|
| 2SD2275 |
isc Silicon NPN Darlington Power Transistor |
Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
