 |
Поиск Datasheets |
|
| 2SJ199 |
MOS Fied Effect Transistor |
Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd |
 |
|
2SJ199 Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
2SJ199 и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| BH616UV8010TIG70 |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit |
Brilliance Semiconductor |
|
| AMT8412T46L4 |
2.5 Gb/s 1310/1550nm PIN-TIA |
ANADIGICS, Inc |
|
| 09-07-0069 |
3.96mm (.156") KK^ IDT Trifurcon Contact, 6 Circuits, Tin (Sn), Feed-Through, 18 Solid or Fused Stranded, Yellow ID Strip |
Molex Electronics Ltd. |
|
| BH616UV8010TIP55 |
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit |
Brilliance Semiconductor |
|
| 2SJ200 |
P CHANNEL MOS TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION) |
Toshiba Semiconductor |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
