Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Поиск Datasheets
Мой поиск: BH616UV8011AI55 P01-18-F-1G


BH616UV8011AI55
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit
Brilliance Semiconductor

BH616UV8011AI55 Datasheet

BH616UV8011AI55 - Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit by BSI

BH616UV8011AI55 datasheet - Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit


 

Название/Part No:
BH616UV8011AI55

Описание/Description:
Ultra Low Power/High Speed CMOS SRAM 512K X 16 bit

Производитель/Maker:
Brilliance Semiconductor (BSI)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

BH616UV8011AI55 и другие

КомпонентОписаниеПроизводительPDF
09-07-0087
3.96mm (.156") KK^ IDT Double Cantilever Contact, 8 Circuits, Tin (Sn), Feed-Through, 18 Solid or Fused Stranded, Yellow ID Strip
Molex Electronics Ltd.
2SJ203
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
NEC
1430433
Bobbin Type Inductors
C&D Technologies
AMT8650
10 Gb/s 1310/1550nm PIN-TIA
ANADIGICS, Inc
2SJ205
MOS Fied Effect Transistor
Guangdong Kexin Industrial Co.,Ltd
Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей


Реклама на сайте




© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»