 |
Поиск Datasheets |
|
| FY12AAJ-03F |
MITSUBISHI Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE |
Renesas Technology Corp |
 |
|
FY12AAJ-03F Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
FY12AAJ-03F и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| F2211 |
PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR |
Polyfet RF Devices |
|
| CEP4737-29 |
Common Mode Inductors Horizontal PCB |
Filtran LTD |
|
| FY5ACJ- |
HIGH-SPEED SWITCHING USE |
Mitsubishi Electric Semiconductor |
|
| E25A2CPR |
STACK SILICON DIFFUSED DIODE (ALTERNATOR DIODE FOR AUTOMOTIVE) |
KEC(Korea Electronics) |
|
| 5KP16APT |
VOLTAGE-5.0 TO 110 VOLTS 5000 WATTS PEAK POWER 8.0 WATTS STEADY STATE |
Chenmko Enterprise Co. Ltd. |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
