Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Поиск Datasheets
Мой поиск: GT10J312 MI-QC2MZ-ISY


GT10J312
SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
Toshiba Semiconductor

GT10J312 Datasheet

GT10J312 - SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS by TOSHIBA

GT10J312 datasheet - SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS


 

Название/Part No:
GT10J312

Описание/Description:
SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

Производитель/Maker:
Toshiba Semiconductor (TOSHIBA)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

GT10J312 и другие

КомпонентОписаниеПроизводительPDF
3410DF471M400HPA1
85 ЉC, 4-Pin, Multipin Snap-In Aluminum Electrolytic
Cornell Dubilier Electronics
34104C
Shielded Surface Mount Inductors
Murata Manufacturing Co., Ltd.
CG102J11S107HQ8
Single Pole Power Rocker Switches
ITT Industries
GT10J303_06
SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS
Toshiba Semiconductor
GT1-2S-33R
Coaxial cable connection of Antennas, Sensors, and Communication Trunk Lines
Hirose Electric
Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей


Реклама на сайте




© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»