Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Поиск Datasheets
Мой поиск: PTFA220081M


PTFA220081M
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 8 W, 700-2200 MHz
Infineon Technologies AG

PTFA220081M Datasheet

PTFA220081M - High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 8 W, 700-2200 MHz by INFINEON

PTFA220081M datasheet - High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 8 W, 700-2200 MHz


 

Название/Part No:
PTFA220081M

Описание/Description:
High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 8 W, 700-2200 MHz

Производитель/Maker:
Infineon Technologies AG (INFINEON)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

PTFA220081M и другие

КомпонентОписаниеПроизводительPDF
PIC16CR84AT-10/P
18-pin Flash/EEPROM 8-Bit Microcontrollers
Microchip Technology
HER108G
ULTRAFAST EFFICIENT GLASS PASSIVATED RECTIFIER VOLTAGE50 TO 1000V CURRENT 1.0A
Gulf Semiconductor
IR4426S
DUAL LOW SIDE DRIVER
International Rectifier
MCZ33903BD3EK
SBC Gen2 with CAN High Speed and LIN Interface
Freescale Semiconductor, Inc
LH8050QLT1G
General Purpose Transistors NPN Silicon Epitaxial planar type.
Leshan Radio Company
Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей


Реклама на сайте




© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»