 |
Поиск Datasheets |
|
| K4S643232E-TN60 |
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL(3.3V) |
Samsung semiconductor |
 |
|
K4S643232E-TN60 Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
K4S643232E-TN60 и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| IRHNJ63130 |
100V, N-CHANNEL |
International Rectifier |
|
| IRHNJ58230 |
RADIATION HARDENED POWER MOSFET SURFACE MOUNT (SMD-0.5) |
International Rectifier |
|
| NVFMCZ20DC481.2BNIL |
Switching capacity up to 25A |
DB Lectro Inc |
|
| K4S643232F- |
2M x 32 SDRAM 512K x 32bit x 4 Banks Synchronous DRAM LVTTL3.3V |
Samsung semiconductor |
|
| ME56XAX |
14 pin DIP, 5.0 Volt, ECL, PECL, Clock Oscillator |
MTRONPTI |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
