K4T1G084QE-HCLE7 Datasheet

K4T1G084QE-HCLE7 - 1Gb E-die DDR2 SDRAM by SAMSUNG

Название/Part No:

K4T1G084QE-HCLE7

Описание/Description:

1Gb E-die DDR2 SDRAM

Производитель/Maker:

Samsung semiconductor (SAMSUNG)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

K4T1G084QE-HCLE7 и другие

Компонент	Описание	Производитель	PDF
MP4T80100	8 Volt, NPN Transistor Medium Power	M-pulse Microwave Inc.
NACEW221K256.3X5.5TR13F	Surface Mount Aluminum Electrolytic Capacitors	NIC-Components Corp.
P7101-4532-R22MT	MOULDED WIREWOUND CHIP INDUCTOR	ETAL Group
HF115F/005-1H2FXXX	MINIATURE HIGH POWER RELAY	Hongfa Technology
P7101-4532-R82MT	MOULDED WIREWOUND CHIP INDUCTOR	ETAL Group

Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей

Реклама на сайте