 |
Поиск Datasheets |
|
| MGP21N60E |
Insulated Gate Bipolar Transistor |
ON Semiconductor |
 |
|
MGP21N60E Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
MGP21N60E и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| MGP20N35CL |
SMARTDISCRETES Internally Clamped, N-Channel IGBT |
Motorola, Inc |
|
| KBL6005 |
CURRENT 6.0 Amperes VOLTAGE 50 to 1000 Volts |
Daesan Electronics Corp. |
|
| NAND256W3A2CZB1T |
128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories |
STMicroelectronics |
|
| HY27UF161G2M-TCS |
1Gbit (128Mx8bit / 64Mx16bit) NAND Flash Memory |
Hynix Semiconductor |
|
| KBL410 |
High current capability |
Shenzhen Ping Sheng Electronics Co., Ltd. |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
