 |
Поиск Datasheets |
|
| PJP2N60 |
600V N-Channel Enhancement Mode MOSFET |
Pan Jit International Inc. |
 |
|
PJP2N60 Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
PJP2N60 и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| MH160847NJ2 |
MULTILAYER CHIP INDUCTOR |
ABC Taiwan Electronics Corp |
|
| KBPC1004 |
TECHNICAL SPECIFICATIONS OF SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER |
Dc Components |
|
| HY5DU12822ALT-X |
512Mb DDR SDRAM |
Hynix Semiconductor |
|
| M58PR256JE96ZB5F |
256 Mbit or 512 Mbit (x16, Multiple Bank, Multilevel, Burst) 1.8 V supply Flash memories |
STMicroelectronics |
|
| HY5DU12822CFP |
512Mb DDR SDRAM |
Hynix Semiconductor |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
