 |
Поиск Datasheets |
|
| V30100P_08 |
Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.57 V at IF = 8 A |
Vishay Siliconix |
 |
|
V30100P_08 Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
V30100P_08 и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| NTE21 |
Silicon Complementary Transistors High Power, Low Collector Saturation Voltage Power Output |
NTE Electronics |
|
| EC3AE32M |
3 WATT DC-DC CONVERTERS |
RSG Electronic Components GmbH |
|
| NTE21256 |
262,144-Bit Dynamic Random Access Memory (DRAM) |
NTE Electronics |
|
| NTE211 |
Silicon Complementary Transistors General Purpose Output & Driver |
NTE Electronics |
|
| V30120SG |
High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier |
Vishay Siliconix |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
