Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Поиск Datasheets
Мой поиск: KLT-231412 595D106X9010A4T


KLT-231412
1310nm InGaAsP strained MQW DFB LD for 1.25G 2.0 TO CAN
KODENSHI KOREA CORP.

KLT-231412 Datasheet

KLT-231412 - 1310nm InGaAsP strained MQW DFB LD for 1.25G 2.0 TO CAN by KODENSHI

KLT-231412 datasheet - 1310nm InGaAsP strained MQW DFB LD for 1.25G 2.0 TO CAN


 

Название/Part No:
KLT-231412

Описание/Description:
1310nm InGaAsP strained MQW DFB LD for 1.25G 2.0 TO CAN

Производитель/Maker:
KODENSHI KOREA CORP. (KODENSHI)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

KLT-231412 и другие

КомпонентОписаниеПроизводительPDF
HER603G
6.0 AMPS. Glass Passivated High Efficient Rectifiers
Taiwan Semiconductor Company, Ltd
MGFC42V3742
3.7 ~ 4.2GHz BAND 16W INTERNALLY MATCHED GaAs FET
Mitsubishi Electric Semiconductor
KLT-255544
1550nm InGaAsP strained MQW DFB-LD
KODENSHI KOREA CORP.
PU150-12B
150 WATT SWITCHING POWER SUPPLIES
Tumbler Technologies + TRUMPower
Y-CONC-UA42S-UA4CU-2002-F
IP67/68/69K Protected Components
Yamaichi Electronics Co., Ltd.
Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей


Реклама на сайте




© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»