 |
Поиск Datasheets |
|
| MGFS52BN2122A |
2.1-2.2 GHz BAND 160W GaAs FET |
Mitsubishi Electric Semiconductor |
 |
|
MGFS52BN2122A Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
MGFS52BN2122A и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| KM416S1120DT-GF6 |
512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
Samsung semiconductor |
|
| KM416S1120DT-GFC |
512K x 16bit x 2 Banks Synchronous DRAM LVTTL |
Samsung semiconductor |
|
| KM416S4030CT-FH |
1M x 16Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
Samsung semiconductor |
|
| MGFS45V2325A |
2.3-2.5 GHz BAND / 32W |
Mitsubishi Electric Semiconductor |
|
| Y-CONC-UA46P-CUCU-2002-E |
IP67/68/69K Protected Components |
Yamaichi Electronics Co., Ltd. |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
