K4E660412D-TC/L Datasheet

K4E660412D-TC/L - 16M x 4 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. 3.3V, 8K refresh cycle. by SAMSUNG

Название/Part No:

K4E660412D-TC/L

Описание/Description:

16M x 4 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. 3.3V, 8K refresh cycle.

Производитель/Maker:

Samsung semiconductor (SAMSUNG)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

K4E660412D-TC/L и другие

Компонент	Описание	Производитель	PDF
K4E640412D-TC/L	16M x 4 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. 3.3V, 4K refresh cycle.	Samsung semiconductor
K4E640412D-TC/L	16M x 4 bit CMOS dynamic RAM with extended data out. 3.3V, 4K refresh cycle.	Samsung semiconductor
K4F660412D-JC/L	16M x 4 bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. 3.3V, 8K refresh cycle.	Samsung semiconductor
K4F640412D-JC/L	16M x 4 bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. 3.3V, 4K refresh cycle.	Samsung semiconductor
K4F660412D-TC/L	16M x 4 bit CMOS dynamic RAM with fast page mode. 3.3V, 8K refresh cycle.	Samsung semiconductor

Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей

Реклама на сайте