Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Поиск Datasheets
Мой поиск: K4R271869B-MCG6


K4R271869B-MCG6
256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz.
Samsung semiconductor

K4R271869B-MCG6 Datasheet

K4R271869B-MCG6 - 256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz. by SAMSUNG

K4R271869B-MCG6 datasheet - 256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz.


 

Название/Part No:
K4R271869B-MCG6

Описание/Description:
256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz.

Производитель/Maker:
Samsung semiconductor (SAMSUNG)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

K4R271869B-MCG6 и другие

КомпонентОписаниеПроизводительPDF
K4R881869M-NCG6
512K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz.
Samsung semiconductor
5KKP58A
64.4-71.2V transient voltage suppressor
Dc Components
MAJ5.0
32.0 mA surface mount transient voltage suppressor
Dc Components
MAJ5.0A
34.0 mA surface mount transient voltage suppressor
Dc Components
MAJ6.0
27.6 mA surface mount transient voltage suppressor
Dc Components
Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей


Реклама на сайте




© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»