 |
Поиск Datasheets |
|
| K4R271869B-MCG6 |
256K x 18 x 32s banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz. |
Samsung semiconductor |
 |
|
K4R271869B-MCG6 Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
K4R271869B-MCG6 и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| K4R881869M-NCG6 |
512K x 18 x 32s dependent banks direct RDRAM. Access time: 53.3 ns, I/O freq.: 600 MHz. |
Samsung semiconductor |
|
| 5KKP58A |
64.4-71.2V transient voltage suppressor |
Dc Components |
|
| MAJ5.0 |
32.0 mA surface mount transient voltage suppressor |
Dc Components |
|
| MAJ5.0A |
34.0 mA surface mount transient voltage suppressor |
Dc Components |
|
| MAJ6.0 |
27.6 mA surface mount transient voltage suppressor |
Dc Components |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
