 |
Поиск Datasheets |
|
| IRFSL31N20D |
HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.082 Ohm, ID = 31A |
International Rectifier |
 |
|
IRFSL31N20D Datasheet
|
|
|
|
Постоянная ссылка на эту страницу |
|
|
IRFSL31N20D и другие |
|
| Компонент | Описание | Производитель | PDF |
| IRFS31N20D |
HEXFET power MOSFET. VDSS = 200V, RDS(on) = 0.082 Ohm, ID = 31A |
International Rectifier |
|
| IRFS59N10D |
HEXFET power MOSFET. VDSS = 100V, RDS(on) = 0.025 Ohm, ID = 58A |
International Rectifier |
|
| IRG4BC20 |
Insulated gate bipolar transistor. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.66V @ VGE = 15V, IC = 9.0A |
International Rectifier |
|
| IRG4BC40 |
Insulated gate bipolar transistor. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.50V @ VGE = 15V, IC = 27A |
International Rectifier |
|
| IRG4PC50 |
Insulated gate bipolar transistor. VCES = 600V, VCE(on)typ. = 1.45V @ VGE = 15V, IC = 39A |
International Rectifier |
|
|  |
|
Datasheet's на KAZUS.RU |
|
|
• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей
|
|
Реклама на сайте |
|
|
|
|
|
|
