Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Поиск Datasheets
Мой поиск: K6R1008C1B-TC10 AIAC-2712C-28N XC6216BB21FR XC6123C221MR 440FF063M08 SSC-MBT6621 67351-9054 R1A3G


K6R1008C1B-TC10
128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 10ns
Samsung semiconductor

K6R1008C1B-TC10 Datasheet

K6R1008C1B-TC10 - 128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 10ns by SAMSUNG

K6R1008C1B-TC10 datasheet - 128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 10ns


 

Название/Part No:
K6R1008C1B-TC10

Описание/Description:
128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 10ns

Производитель/Maker:
Samsung semiconductor (SAMSUNG)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

K6R1008C1B-TC10 и другие

КомпонентОписаниеПроизводительPDF
K6R1008C1B-TC12
128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 12ns
Samsung semiconductor
KM681002AJI-20
128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 20ns
Samsung semiconductor
KM681002ATI-15
128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 15ns
Samsung semiconductor
KM681002ATI-20
128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 20ns
Samsung semiconductor
KM681002AT-20
128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 20ns
Samsung semiconductor
Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей


Реклама на сайте




© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»