Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Удаленная работа
Помощь проекту

Поиск Datasheets
Мой поиск: K6R1008C1C-TC10 AT470RAT28N_SZ


K6R1008C1C-TC10
128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 10ns
Samsung semiconductor

K6R1008C1C-TC10 Datasheet

K6R1008C1C-TC10 - 128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 10ns by SAMSUNG

K6R1008C1C-TC10 datasheet - 128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 10ns


 

Название/Part No:
K6R1008C1C-TC10

Описание/Description:
128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 10ns

Производитель/Maker:
Samsung semiconductor (SAMSUNG)

Ссылка на datasheet:

Постоянная ссылка на эту страницу

K6R1008C1C-TC10 и другие

КомпонентОписаниеПроизводительPDF
KM681002CLJI-10
128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 10ns, low power
Samsung semiconductor
KM681002CLTI-20
128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 20ns, low power
Samsung semiconductor
KM681002CLTI-15
128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 15ns, low power
Samsung semiconductor
KM681002CLTI-10
128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 10ns, low power
Samsung semiconductor
KM681002CLTI-12
128K x 8 high speed static RAM, 5V operating, 12ns, low power
Samsung semiconductor
Datasheet's на KAZUS.RU

• 10.000.000 компонентов
• 300.000 поисковых запросов
• 500.000 закачек PDF в месяц
• 700.000 пользователей


Реклама на сайте




© 2003—2024 «KAZUS.RU - Электронный портал»