Электроника - это просто Теоретические и практические вопросы для начинающих электронщиков. |
14.01.2018, 23:31
|
|
Прописка
Регистрация: 15.03.2009
Сообщений: 162
Сказал спасибо: 1
Сказали Спасибо 3 раз(а) в 3 сообщении(ях)
|
Работа однопереходного транзистора
Здравствуйте. Однопереходной транзистор(он же-двухбазовый диод) можно представить схемой замещения на рис.1.
При UE=0, выходная ВАХ транзистора представляет собой прямую, и это понятно. Непонятна ВАХ при UE=определенному значению. Кто может прочитать ВАХ? Почему, скажем, при UE=1,5 В и UBB=0,75 В IBB=0?
Нажмите, чтобы открыть спойлер
|
|
|
|
15.01.2018, 03:59
|
|
Модератор
Регистрация: 04.08.2010
Адрес: Москва СЗАО
Сообщений: 11,247
Сказал спасибо: 11,166
Сказали Спасибо 3,855 раз(а) в 2,926 сообщении(ях)
|
Re: Работа однопереходного транзистора
Frensis777, а с той же wiki начать про однопереходный транзистор?
Ну и заодно ту эквивалентную схему разобрать в работе?
Посмотрите что происходит с кривыми при смене параметра вдоль оси напряжений.
На наборе отсчётов в электронных таблицах очень наглядно получается.
__________________
rtfm forever должно быть основой для каждого. Альтернатива грустна, поскольку метод слепого щенка успешно работает при весьма малом числе вариантов…
|
|
|
|
15.01.2018, 22:01
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 06.09.2007
Сообщений: 4,716
Сказал спасибо: 6,439
Сказали Спасибо 4,161 раз(а) в 2,204 сообщении(ях)
|
Re: Работа однопереходного транзистора
Сообщение от Frensis777
|
Почему, скажем, при UE=1,5 В и UBB=0,75 В IBB=0?
|
///////////////////
__________________
Геннадий
|
|
|
Эти 2 пользователя(ей) сказали Спасибо genao за это сообщение:
|
|
|
19.01.2018, 17:05
|
|
Прописка
Регистрация: 15.03.2009
Сообщений: 162
Сказал спасибо: 1
Сказали Спасибо 3 раз(а) в 3 сообщении(ях)
|
Re: Работа однопереходного транзистора
Спасибо, genao.
Не могли бы Вы сказать:
1) Для открытия ОПТ нужно подавать импульс или постоянное напряжение? Если я подам на вход постоянное напряжение включения, он из выключенного положения, быстро пройдя область с отриц. дифф. сопротивлением, войдет в состояние насыщения или сгорит?
2) Если при Uбб=0 я подаю напряжение на вход так, что ОПТ открывается, будет ли в этом случае модуляция сопротивлении первой базы?(т.е. будет ли уменьшаться сопротивление Rb1 при увеличении Iэ при Uбб=0?ведь в этом случае также будет происходить инжекция дырок в базу Б1)
|
|
|
|
19.01.2018, 18:46
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 06.09.2007
Сообщений: 4,716
Сказал спасибо: 6,439
Сказали Спасибо 4,161 раз(а) в 2,204 сообщении(ях)
|
Re: Работа однопереходного транзистора
1 Пофиг как, главное чтобы ток эмиттера не превышал максимально допустимый для данного экземпляра транзистора Ie макс постоянный или импульсный, например ограниченный резистором Rогр включенного последовательно с эмиттером, Ue/Rогр ‹ Ie макс. Тогда он не сгорит.
2 О какой модуляции может идти речь для прямосмещенного pn перехода? Только об ВАХ
__________________
Геннадий
|
|
|
|
19.01.2018, 22:04
|
|
Прописка
Регистрация: 15.03.2009
Сообщений: 162
Сказал спасибо: 1
Сказали Спасибо 3 раз(а) в 3 сообщении(ях)
|
Re: Работа однопереходного транзистора
Сообщение от genao
|
2 О какой модуляции может идти речь для прямосмещенного pn перехода? Только об ВАХ
|
Возможно Вы не так поняли, или я чего-то не понимаю, я имел ввиду не сопротивление pn перехода, а сопротивление базы Rb1(иными словами, сопротивление части стержня полупроводника n-типа, расположенного ниже эмиттера)
|
|
|
|
20.01.2018, 00:22
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 06.09.2007
Сообщений: 4,716
Сказал спасибо: 6,439
Сказали Спасибо 4,161 раз(а) в 2,204 сообщении(ях)
|
Re: Работа однопереходного транзистора
Rb1 и Rb2 при Uбб=0 есть части стержня полупроводника n-типа при прямом смещении, при условии что источник Uбб=0 имеет внутреннее сопротивление равное нулю. Другими словами Б1 замкнута с Б2. Нет источника тока основных носителей.
О модуляции можно было бы вести речь если бы присутствовал источник Uбб › 0.7В. А так просто имеем насыщаемый током эмиттера в две стороны (к Б1 и Б2) стержень полупроводника n-типа с ВАХ близкой к виду восходящей ветки параболы.
Суть модуляции током эмиттера однопереходного транзистора заключается в том, что должно обязательно присутствовать напряжение обратно смещающее pn переход и обеспечивающее наличие основных носителей по куску полупроводника n-типа, то есть между базами.
И как только напряжение на эмиттере начнет смещать pn переход в прямом направлении то в нижний кусок n-проводника начинают поступать неосновные носители то есть инжекция, которая будет нейтрализоваться основными носителями и будет в этом случае модуляция сопротивлении первой базы в той степени, насколько инжекция неосновных носителей будет превышать наличие основных носителей.
Без условия создания основных носителей (наличие источника Uбб) разговор о модуляции не имеет смысла, только об ВАХ обусловленной чисто током инжекции неосновных носителей.
__________________
Геннадий
|
|
|
|
Ваши права в разделе
|
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения
HTML код Выкл.
|
|
|
Часовой пояс GMT +4, время: 23:19.
|
|