Работа однопереходного транзистора

[Frensis777]

Здравствуйте. Однопереходной транзистор(он же-двухбазовый диод) можно представить схемой замещения на рис.1.
При UE=0, выходная ВАХ транзистора представляет собой прямую, и это понятно. Непонятна ВАХ при UE=определенному значению. Кто может прочитать ВАХ? Почему, скажем, при UE=1,5 В и UBB=0,75 В IBB=0?

Нажмите, чтобы открыть спойлер

[mike-y-k]

Frensis777, а с той же wiki начать про однопереходный транзистор?
Ну и заодно ту эквивалентную схему разобрать в работе?
Посмотрите что происходит с кривыми при смене параметра вдоль оси напряжений.
На наборе отсчётов в электронных таблицах очень наглядно получается.

[genao]

Почему, скажем, при UE=1,5 В и UBB=0,75 В IBB=0?

///////////////////

[Frensis777]

Спасибо, genao.
Не могли бы Вы сказать:
1) Для открытия ОПТ нужно подавать импульс или постоянное напряжение? Если я подам на вход постоянное напряжение включения, он из выключенного положения, быстро пройдя область с отриц. дифф. сопротивлением, войдет в состояние насыщения или сгорит?
2) Если при Uбб=0 я подаю напряжение на вход так, что ОПТ открывается, будет ли в этом случае модуляция сопротивлении первой базы?(т.е. будет ли уменьшаться сопротивление Rb1 при увеличении Iэ при Uбб=0?ведь в этом случае также будет происходить инжекция дырок в базу Б1)

[genao]

1 Пофиг как, главное чтобы ток эмиттера не превышал максимально допустимый для данного экземпляра транзистора Ie макс постоянный или импульсный, например ограниченный резистором Rогр включенного последовательно с эмиттером, Ue/Rогр ‹ Ie макс. Тогда он не сгорит.

2 О какой модуляции может идти речь для прямосмещенного pn перехода? Только об ВАХ

[Frensis777]

2 О какой модуляции может идти речь для прямосмещенного pn перехода? Только об ВАХ

Возможно Вы не так поняли, или я чего-то не понимаю, я имел ввиду не сопротивление pn перехода, а сопротивление базы Rb1(иными словами, сопротивление части стержня полупроводника n-типа, расположенного ниже эмиттера)

[genao]

Rb1 и Rb2 при Uбб=0 есть части стержня полупроводника n-типа при прямом смещении, при условии что источник Uбб=0 имеет внутреннее сопротивление равное нулю. Другими словами Б1 замкнута с Б2. Нет источника тока основных носителей.

О модуляции можно было бы вести речь если бы присутствовал источник Uбб › 0.7В. А так просто имеем насыщаемый током эмиттера в две стороны (к Б1 и Б2) стержень полупроводника n-типа с ВАХ близкой к виду восходящей ветки параболы.

Суть модуляции током эмиттера однопереходного транзистора заключается в том, что должно обязательно присутствовать напряжение обратно смещающее pn переход и обеспечивающее наличие основных носителей по куску полупроводника n-типа, то есть между базами.
И как только напряжение на эмиттере начнет смещать pn переход в прямом направлении то в нижний кусок n-проводника начинают поступать неосновные носители то есть инжекция, которая будет нейтрализоваться основными носителями и будет в этом случае модуляция сопротивлении первой базы в той степени, насколько инжекция неосновных носителей будет превышать наличие основных носителей.

Без условия создания основных носителей (наличие источника Uбб) разговор о модуляции не имеет смысла, только об ВАХ обусловленной чисто током инжекции неосновных носителей.