Электроника - это просто Теоретические и практические вопросы для начинающих электронщиков. |
22.09.2024, 15:24
|
|
Заблокирован
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 8,124
Сказал спасибо: 908
Сказали Спасибо 1,171 раз(а) в 940 сообщении(ях)
|
Замена IGBT.
Здоровеньки булы.
Меняю в 3-фазном мосту STGW20NC60VD (30..60А, 600В, "advanced Power MESH™") на NGTG15N60S1G (15..30А, 600В, "Non−Punch Through (NPT) Trench") и что-то теряюсь в важных для сей перестановки параметрах.
В моём случае - частотник на 1..2кВт (точнее не узнать), на двигателе 3 фазы по 170В (потому что питание инвертора +310В), получаем ток 1й фазы 5,5Ап - то есть мощность и ток ключей нам в принципе не важны. Есть, конечно, зависимость вых. тока от частоты, но у современных транзисторов она почему-то не указывается, да и зависимость косвенная - при заданных суммарных потерях на корпус считается. Радиатор там 3000 кв.см + обдув, это к вопросу о мощности.
Как я понимаю, Uнас значения не имеет (оно у БТ/ИГБТ практически не изменяется в пределах одного класса), только потери переключения (у этих 2х примерно одинаковы) и Qg - чтоб драйверу не стало плохо; эти 2 параметра определяют дин. потери.
Замена в 2 раза слабее током и мощностью - но будет ли это иметь значение, если запас всё равно 3 раза, а теплоотвод идёт через резину?
Просто больше ничего подходящего по потерям и Qg не найти локально.
Ну и вопрос для общего развития: мосфеты в мощных инверторах не применяются по какой причине? По току и ОБР там всё примерно одинаково в пределах 650В.
|
|
|
|
22.09.2024, 16:19
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 08.02.2005
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,131
Сказал спасибо: 2,814
Сказали Спасибо 2,735 раз(а) в 2,024 сообщении(ях)
|
Re: Замена IGBT.
Сообщение от zoog
|
частотник на 1..2кВт ... получаем ток 1й фазы 5,5Ап - то есть мощность и ток ключей нам в принципе не важны.
|
Что с током при старте движка... движок при старте нагружен ли...
Посмотрел даташиты - как будто сравнимые они по быстродействию (цифры по задержкам отличаются, и заметно, но и даны они при разных сопротивлениях в цепи затвора - 3,3 Ом и 22 Ом). имхо.
Сообщение от zoog
|
мосфеты в мощных инверторах не применяются по какой причине
|
я так думаю - сопротивление канала велико.
ЗЫ была тема по конденсаторам - есть ли смысл параллельно большому электролиту параллелить мелкий неэлектролит - обратите внимание на
Figure 17. Test circuit for inductive load switching в даташите более мощного транзистора - цепь питания.
|
|
|
|
22.09.2024, 16:24
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 20.03.2007
Адрес: "Братское кольцо враждебности", т.е. ближайшее заМКАДье.
Сообщений: 7,054
Сказал спасибо: 3,042
Сказали Спасибо 3,213 раз(а) в 2,183 сообщении(ях)
|
Re: Замена IGBT.
Сообщение от zoog
|
Ну и вопрос для общего развития: мосфеты в мощных инверторах не применяются по какой причине?
|
Недавно попадалось формулка примерно похожая на Rdson ~ BVdss^2,5. Чем выше напряжение - тем меньше преимущество над биполярными и, к указанным классам напряжения, преимущество становится отрицательным.
__________________
Экзорцист 40-го уровня.
|
|
|
Эти 2 пользователя(ей) сказали Спасибо ForcePoint за это сообщение:
|
|
|
22.09.2024, 18:36
|
|
Заблокирован
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 8,124
Сказал спасибо: 908
Сказали Спасибо 1,171 раз(а) в 940 сообщении(ях)
|
Re: Замена IGBT.
Сообщение от Yuri222
|
Что с током при старте движка... движок при старте нагружен ли...
|
А в частотниках разве макс. ток не при макс. мощности? И софт-старт встроенный.
Сообщение от Yuri222
|
я так думаю - сопротивление канала велико.
|
Отнюдь: при токе 5..10А у ИГБТ падение будут те же 1,5..2В, а у сравнимого по мощности мосфета на 90мОм - 0,45..0,9В.
Сообщение от ForcePoint
|
Недавно попадалось формулка примерно похожая на Rdson ~ BVdss^2,5. Чем выше напряжение - тем меньше преимущество над биполярными и, к указанным классам напряжения, преимущество становится отрицательным.
|
Ну, глянул ряд irf520-840, там примерно прямая пропорциональность в среднем.
Далее, современные (10 лет) мосфеты примерно в том же корпусе, той же мощности имеют сравнивые статические потери.
|
|
|
|
22.09.2024, 19:45
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 08.02.2005
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,131
Сказал спасибо: 2,814
Сказали Спасибо 2,735 раз(а) в 2,024 сообщении(ях)
|
Re: Замена IGBT.
Сообщение от zoog
|
у сравнимого по мощности мосфета на 90мОм - 0,45..0,9В.
|
Марку мосфета можете назвать?
Его цена по сравнению с IGBT со сравнимыми параметрами?
90 мОм у этого Мосфета - при какой температуре? подозреваю - при 25С. (у IGBT емнип напряжение падает с температурой)
Сообщение от zoog
|
глянул ряд irf520-840
|
Так IGBT выпускаются на гораздо бОльшие токи, а не на 8А?
Насколько помню, еще у IGBT есть в даташитах такой параметр - сколько времени он выдержит при КЗ в нагрузке (5 мксек, насколько помню, у многих/больщинства).
|
|
|
Сказали "Спасибо" Yuri222
|
|
|
22.09.2024, 20:19
|
|
Заблокирован
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 8,124
Сказал спасибо: 908
Сказали Спасибо 1,171 раз(а) в 940 сообщении(ях)
|
Re: Замена IGBT.
Сообщение от Yuri222
|
Марку мосфета можете назвать?
|
Например, FCB36N60N или всё подряд с цифрами 30..40N(M)60..65.
Часто и в ТО-220.
Сообщение от Yuri222
|
90 мОм у этого Мосфета - при какой температуре? подозреваю - при 25С. (у IGBT емнип напряжение падает с температурой)
|
У ПТ на макс. Т Rdson ухудшается в 2 раза - то есть токовая способность ухудшается в 1,4. А у ИГБТ - в 2 раза. 90мОм - это у транзистора в ТО-220, а перейдя к ТО-247 (как у сабжевых ИГБТ), можно получить 30..35мОм на макс. Т, это соответствует рабочему току в 30А.
Сообщение от Yuri222
|
Так IGBT выпускаются на гораздо бОльшие токи, а не на 8А
|
Зависимость эта у мосфетов примерно одинакова для всех поколений/мощностей афаик.
Сообщение от Yuri222
|
Насколько помню, еще у IGBT есть в даташитах такой параметр - сколько времени он выдержит при КЗ в нагрузке (5 мксек, насколько помню, у многих/больщинства).
|
Это означает прямоугольную ОБР на таких таймингах, но вот насколько это актуально в реальной жизни? Глянул ОБР мелкого мосфета и ИГБТ на 15..30А в ТО-247 - они примерно равные, расхождение раз в полтора (смотрел в паре точек).
|
|
|
|
22.09.2024, 22:45
|
|
Заблокирован
Регистрация: 17.07.2010
Адрес: мурмурляндия
Сообщений: 10,715
Сказал спасибо: 189
Сказали Спасибо 3,199 раз(а) в 2,074 сообщении(ях)
|
Re: Замена IGBT.
Сообщение от zoog
|
А в частотниках разве макс. ток не при макс. мощности? И софт-старт встроенный.
|
кратковременная перегрузка обычно 200-300% на небольших частотниках.
инструкции от них почитай)))
поэтому и транзисторы такие мощные ставят
|
|
|
|
22.09.2024, 22:48
|
|
Заблокирован
Регистрация: 17.07.2010
Адрес: мурмурляндия
Сообщений: 10,715
Сказал спасибо: 189
Сказали Спасибо 3,199 раз(а) в 2,074 сообщении(ях)
|
Re: Замена IGBT.
Сообщение от zoog
|
Отнюдь: при токе 5..10А у ИГБТ падение будут те же 1,5..2В, а у сравнимого по мощности мосфета на 90мОм - 0,45..0,9В.
|
у полевика чем больше ток тем больше падение. у биполяра оно почти не растет от тока.
читай выше что это дает)
ну да - щас есть полевики с каналом по 15 миллиом 650 вольт да на 250кгц к тому же с емкостью затвора 800 пик.
но к ним еще не привыкли видимо)))
|
|
|
|
22.09.2024, 23:07
|
|
Заблокирован
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 8,124
Сказал спасибо: 908
Сказали Спасибо 1,171 раз(а) в 940 сообщении(ях)
|
Re: Замена IGBT.
Сообщение от индюк
|
у полевика чем больше ток тем больше падение. у биполяра оно почти не растет от тока.
читай выше что это дает)
|
Да, закон Ома на этом форуме многим знаком. И тем не менее на реальных рабочих токах, равных 1/3 от максимального - современные полевики имеют сравнимое или меньшее падение.
Сообщение от индюк
|
да на 250кгц
|
А с каких пор у мощных мосфетов нормируется частота?
Сообщение от индюк
|
но к ним еще не привыкли видимо)))
|
Да уж лет 10. Видимо, пока работает технология 80х - её не трогают.
+По выбору параметров что-нибудь можете добавить?
|
|
|
|
23.09.2024, 09:02
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 04.06.2007
Адрес: Минск, Беларусь
Сообщений: 8,046
Сказал спасибо: 802
Сказали Спасибо 4,029 раз(а) в 2,876 сообщении(ях)
|
Re: Замена IGBT.
zoog,
а ещё появились каскодные транзисторы. Они состоят из высоковольтного полевого карбид-кремниевого JFET транзистора и низковольтного кремниевого МОП транзистора.
По сравнению с высоковольтным МОП транзистором они имеют меньшее сопротивление и меньшую входную ёмкость, а это позволяет работать на более высоких частотах.
UF3SC120009K4S, SiC MOSFETs 1200V/9mO,SICFET, G3,TO247-4 120 А.
импульсный 550 А и мощность 789 Вт.
UJ3C065030K3S w Typical on-resistance RDS(on),typ of 27мОм, 650V, 85 А, импульсный 230 А и мощность 441 Вт
Правда они дорогие.
Spice модели есть в Qspice.
|
|
|
Сказали "Спасибо" bordodynov
|
|
|
Ваши права в разделе
|
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения
HTML код Выкл.
|
|
|
Часовой пояс GMT +4, время: 21:37.
|
|