Прошу прощения за задержку с ответом - пришлось днем побегать. Поэтому отвечать буду, как бы еще присутствуя на 11-й странице...
|
Сообщение от alexey-b
|
|
...Спросите у кого угодно.
|
Вообще-то, я "спросил" у симулятора и он мне ответил. Зачем спрашивать у кого-то еще?
|
Цитата:
|
|
Ни в каких повторителях потенциал точки C не может на такую разницу отличаться от потенциала точки B.
|
Но ведь
отличается же, как бы это ни было противно...
Давайте откроем даташит на IRF840 и посмотрим кривую зависимости тока стока от затворно-истокового напряжения (приаттаченный рисунок). При указанных на первом рисунке, приаттаченном к моему посту на с.10, ток через R1 составляет 1,7 А. При этом токе (горизонтальная линия) получаем падение напряжения между затвором и истоком чуть больше 4 В - именно то, что и видим при симуляции.
Теперь - несколько цитат с комментариями из разных Ваших постов:
|
Цитата:
|
|
...при условии, что выбранный полевик способен насыщаться до 0,5V.
|
Насколько
мне известно, у полевого транзистора нет такого параметра, как напряжение насыщения канала... Он (напряжение насыщения коллектор-эмиттер) характерен для биполярного транзистора. Для полевика существенным является сопротивление открытого канала. В примененном IRF840 по даташиту оно составляет 0,85 Ома, но в симуляторе забита цифра 0,15 Ома. Если посмотреть на цифры рисунка, приаттаченного к моему второму посту (с нагрузкой в стоке), то падение напряжения на самом транзисторе (0,455 В) при токе почти 3 А и дает это значение 0,15 Ом.
|
Цитата:
|
|
Если входное сопротивление полевика не нагружает сопротивлене R5 до такой степени, чтобы уменьшить потенциал деления "холостого хода" - (R5 Uп/R4+R5 = 51 х 12/51 + 4,3 = 11,06V), то сток должен передавать этот потенциал на R1 c незначительной потерей.
|
Полевой транзистор с
изолированнымзатвором имеет входное сопротивление затвора порядка тераОм. Ни о какой нагрузке делителя речи вообще не идет (разве что емкость затвора, но мы говорим о практически статических параметрах). Поэтому применение в делителе R4 никак не обосновано. Он был бы нужен, если бы нагрузкой был биполярный транзистор для ограничения базового тока последнего. Это - "масло масляное".
|
Цитата:
|
|
...нужно вычесть напряжение Uнас. для конкретно взятого типа транзистора (например для П217 оно будет не более 0,5V)...
|
Прошу еще раз внимательно посмотреть на оба рисунка, приаттаченных к моим постам, особенно - на потенциал точки "А". Он отличается от потенциала источника питания всего на 0,01 В! И это - напряжение между коллектором и эмиттером открытого
биполярного транзистора! Дело в том, что это напряжение пропорционально току через транзистор и в справочниках и даташитах приводится при
максимальном допустимом токе. А поскольку нагрузка Q1 составляет целых 55,3 кОм, то и коллекторный ток у него мизерный. Соответственно, и напряжение насыщения - тоже (прошу заметить: я НЕ пишу "коллекторно-эмиттерный переход", ибо у биполярного транзистора такового нет - есть базо-эмиттерный и базо-коллекторный переходы).
В целом складывается впечатление, что Вы, уважаемый
alexey-b путаете параметры и особенности работы биполярного и полевого транзисторов (только не обижайтесь, пожалуйста!). Я же - старый "рассыпушник", хоть и не в особых ладах с математикой и теорией, но как что работает - чувствую "пОпом". Потому и взял на себя смелость разобраться в этом вопросе.
-- Прилагается рисунок: --
soladko, конечно вы правы, здесь необходимо дополнительное напряжение мин. 5-8 В для полного открывания полевика (см. даташит) 
.
.
