Как закрыть тиристор в цепи постоянного тока?

[soladko]

Да, это выход если не нравится первая схема, но я не предлагал потому, что автор не может достать полевики, и пользуется тем, что есть.

[Falconist]

soladko, Вы совершенно правы. Но вдруг через неделю он их добудет?!. Вариант на оптроне - универсален. Перебросить на плате пару перемычек от оптрона и затворного резистора и поменять полевик. И половина траблов устраняется.

[alexey-b]

soladko
С трудом догадался, что "уважаемый" - это я. Еще с большим трудом определился с тем, что вы толкуете. Вот ваша выдумка:

• Уважаемый, ну разве можно так обманывать человека, задавшего вам вопрос по схеме? Если не знаете, не рисуйте такие схемы. Ваш ОУ без дополнительного напряжения питания больше 12 вольт не даст? Не даст, потому что негде взять их. Напряжение открытия полевого транзистора около 4-5 волт, значит в случае такой схемы на транзисторе всегда, повторюсь ВСЕГДА будет падать минимум 4-5 вольт при том же токе нагрузки, который потребляет Rн.

Напряжение насыщения полевика Uнас. может быть 0.5V и кто-то здесь уже об этом писал (посмотри первые страницы). Значит напряжение на нагрузке может быть блиско к питающему напряжению без проблем. Более того полевик можно заменить здесь простым транзистором, например, КТ819 (Uнас = 1V) в пластике. A если применить p-n-p транзистор КТ818, то вообще можно вернуться к схеме с общим коллектором, в которой нагрузка окажется включенной междй коллектором этого транзистора и минусом питающей батареи. Применение полевика здесь совсем не обязательно.
Далее, уважаемый, скажите пожалуйста: может ли в критикуемой вами схеме ОУ подать такой минус, чтобы транзистор VT1 окрылся до насыщения? Вопрос совершенно риторический! Тогда напряжение на R5 составит: R5хUп/R5+R4 и в числах: 51кх12v/51к+4.3к = 11,07V. Стало быть на нагрузке будет более 10v. О чем речь уважаемый? Причем тут вольтодобавка? Если не знаете не пишите![/list]

[soladko]

Немножко извините за неточность, я хотел написать что и транзистор в вашей схеме, который открывает полевик надо от вольтдобавки запитать. Это во первых. Во вторых зачем сьезжаете на биполярник, так не чесно, давайте до конца говорить именно о вашей схеме? Докажите, что без вольтдобавки к +12 вольтам ваша схема может открыть IRFZ44 примененный автором темы до насыщения и вы получите нобелевскую премию. В этого полевика никаких 0,5 вольт для нсыщения не может быть(у него порядка 4-5 вольт), да и 0,5 вольт это много, будет греться. Скажу даже больше, есть полевики такого типа, которые открываются типа "логическим уровнем", для низковольтных схем, но даже там это гораздо больше ваших полвольта. учите матчасть. Транзистор в еммитерном повторителе, ровно как и в истоковом никогда в насыщение не входил, и не войдет, если питать все от одного напряжения. Ссори за грамматические ошибки.

[alexey-b]

soladko
Где вы увидели в моей схеме IRFZ44? Я предложил принципиальную схему решения проблемы, зная что существуют транзисторы с Uнас. = 0.5V. Далее вы спрашиваете: зачем съезжать на биполярник? В связи с этим вопросом напомню вам, что тема геста "как закрыть тиристор в цепи постоянного тока?" и вы можете убедиться, что не я отклонился от этой темы.
Нет слов описать невежество вашего утверждения: "Транзистор в еммитерном повторителе, ровно как и в истоковом никогда в насыщение не входил, и не войдет, если питать все от одного напряжения". Где же вы такое вычитали? Покажите пожалуйста. Давайте предположим с вами что при базе закороченной на плюс источника питания в эмитерном повторителе транзистор не перегорит. вопрос: будет ли через эту базу протекать такой ток, который откроет транзистор до насыщения, т.е. создаст падение напряжения в 2V Uвх.нас (для большинства транзисторов, а для германевых? типа П217 - 1v). Без сомнения при коротком замыкании базы на плюс такой ток окажется много, много больше необходимго при условии что Rнагр. досточно низкоомна, что и имеет место в данном случае быть. Скажите, что мешает с помощью резистора уменьшить ток базы транзистора до достаточного тока Iнас.?

[soladko]

Где модераторы? может он Вам поверит что в емиттерном и истоковом повторителе биполярник не может войти в насыщение а полевик не будет открыт полностью? Пока модераторы пьют кофе объясню я. Начнем с биполярника. Какой режим называется режимом насыщения? Берем учебник и читаем: режим работы при котором емиттерный переход смещен в прямом направлении а коллекторный в обратном называется режимом НАСЫЩЕНИЯ. Это значит что даже если вы возьмете(n-p-n) и к плюсу присоедините базу и коллектор, а к еммитеру нагрузку, то ваш коллекторный переход не будет смещен в прямом направлении, следовательно НЕТ насыщения. А чтоб было насыщение, необходима небольшая "вольт-добавочка", которая относительно общего питания и потенциала коллектора "приподнимет" потенциал базы. Убедил? Скажу даже больше, вы упомянули П217, скажите пожалуйста, например при токе коллектора в 0,5 А какое падение напряжения будет на коллекторно-емиттерном переходе, а какое на еиттерном? вы удивитесь, но на емиттерном переходе будет больше! следовательно надо приподнять потенциал базы, а это значит что нужен ДОПОЛНИТЕЛЬНЫЙ источник питания. Про полевик я вообще молчу, на современных полевиках падают милливольты, а вы предлагаете 0,5 вольта и говорите что это хорошо. Ну да ладно....покажите мне даташит силового полевика который при напряжении 0,5 вольта полностью будет открыт? Я такого не знаю, хоть чем-то удивите(я не утверждаю, что его нет, просто покажите, очень интересно, не встречал), иначе все что вы тут писали неправда. Жду возражений и даташита! Ничего личного, просто не люблю когда дают неправильные советы, и пытаются доказать ПРИНЦИПИАЛЬНО неправильные вещи....

[Falconist]

Где модераторы?

Модераторы - такие же люди, как и Вы, со своими знаниями и незнаниями, "тараканами в голове". Они не безгрешны и не всезнающи, отвечать на все посты - не их задача (на одном из форумов, не будем указывать пальцем, количество постов одного из модераторов перевалило уже за 10000!). Их функция - как нормальной полиции в нормальной стране - всего лишь поддерживать порядок, чтобы форум не превратился в базар.

Пока модераторы пьют кофе, объясню я.

Совершенно верно Именно так!

P.S. alexey-b, Вы начали съезжать на несдержанность в выражениях:

Нет слов описать невежество вашего утверждения...

Нехорошо-с...

Кстати, Ваше утверждение, что в режиме эмиттерного/истокового повторителя транзистор может войти в насыщение, действительно не соответствует действительности, т.к. в таком каскаде действует 100-процентная ООС. Как ни прискорбно, но вынужден согласиться с soladko.

Каскады с общим коллектором на практике используются, например, для управления сегментами знакового индикатора, реле и т.п., т.е. в случаях, когда именно ключевой режим не столь существенен. Вы можете возразить - а как же тогда работает верхний транзистор в полумостовом/мостовом инверторе? Но он получает управляющий открывающий потенциал относительно собственного эмиттера/истока, т.е., загоняется в режим насыщения.

[alexey-b]

Друзья мои Soladko и Falconist!

Вот вы уже зовете на помощь дяденьку модератора по сути дела в очень простом вопросе. Я все время спрашиваю вас где вы берете формулировки типа: «Какой режим называется режимом насыщения? Берем учебник и читаем: режим работы при котором емиттерный переход смещен в прямом направлении а коллекторный в обратном называется режимом НАСЫЩЕНИЯ» Надеюсь вам хотя бы известно то, что теории полупроводников принято различать три этапа насыщения в области насыщения транзистора: Uнач.нас., Uглуб.нас. и Uнас.тепл проб. (этап начального насыщения, этап глубокого насыщения и этап теплового пробоя соответственно.) В справочнике по полупроводникам, в разделе стационарных параметров (не предельных) указывается значение Uнач.нас для данного типа транзистора и гарантируется, что оно будет достигнуто при таком-то значении Uбэ или Iб.
На рисунке, в верхнем фрагменте, я подчеркнул то что практически характеризует область насыщения, а именно; не какой-то там обратносмещенный коллекторный переход, как вы полагаете, а такое напряжение между коллектором и эмиттером транзистора, которое мало изменяется при дальнейшем увеличении тока базы (фрагмент скопирован для вас из популярного «Словаря радиолюбителя» - под ред. Л.П. Крайзмера, Энергия, 1972г. Стр.295). Сама область насыщения показана на рисунке в графике (график из справочника Горюнова Н.Н. «Полупроводниковые приборы: транзисторы» - Энергоатомиздат, Москва. 1985г. Стр.2. Из него со всей отчетливость видно, что зона Uнас. достигается при прямосмещенном коллекторном переходе, без какой-либо вольтодобавки и характеризуется тем, что любое значение в этой области слабо различно по отношению к другому при всех последующих нарастаниях тока базы, а ток коллектора, при этом может нарастать «беспредельно». Лично у меня есть самодельный испытатель статических параметров транзисторов, который прямым измерением дает значения токов Iк, Iб и напряжений Uк.э., Uбэ. С его помощью область насыщения обнаруживается очень наглядно при плавном увеличении Iб. Очень советую вам изготовить на всю жизнь полезный прибор и к тому же незаменимый при подборе комплементарных пар.
Когда у Falconist буде такой прибор он не станет никому делать следующего замечания:
«Кстати, Ваше утверждение, что в режиме эмиттерного/истокового повторителя транзистор может войти в насыщение, действительно не соответствует действительности, т.к. в таком каскаде действует 100-процентная ООС. Как ни прискорбно, но вынужден согласиться с soladko» Тогда сразу появится ясность в том, что эмиттерный повторитель так называется потому, что на выходе повторяет напряжение на входе и характеризуется именно тем, что, например, в частном случае при определенных значениях Rэ может работать при закороченной на коллектор базе (токовое зеркало) при значительных напряжениях Uп (иногда в сотни вольт в очень мощьных НЧ)., т.е. Uвх = Uп и Uвых приближается к Uп.
Falconist упрекнул меня в том, что я «…начал съезжать на несдержанность в выражениях». Оправдываться не стану, но замечу, что в науке в отличии от от бытовой безответственной болтовни утверждения доказываются и в нашем деле кто-то прав,а кто-то, извините, неправ. В моей правоте однозначно вы можете убедится если соберете эмиттерный повторитель по моей схеме и возьмете значения соответствующих резисторов из ранее сделанного мной расчета. Я его повторю: «напряжение на R5 составит: R5хUп/R5+R4 и в числах: 51кх12v/51к+4.3к = 11,07V. Конечно, из этого значения нужно вычесть напряжение Uнас. для конкретно взятого типа транзистора (например для П217 оно будет не более 0,5V) Просто убедитесь в том, что так оно и будет при заданном сопротивлении Rнагр. = 4 Ом, т.е. необходимом токе через нее в 3А.

-- Прилагается рисунок: --

[viks69]

Сообщение от soladko

Где модераторы?

этто что,..................
9 страниц, так толком полной заработавшей схемы топикавтор и не привёл, начав говорить "А", скажи и "Б".
приведи свой участок рабочей части силовухи. и, по-возможности, - ну хоть немножко уменьши рисунок перед загрузкой. ведь не метр моник по диагонали. просматривать неудобно

...................повторюсь правда,но схему выложу,т.е. силовую часть её. и то ,какая была,и то какая стала,благодаря вашим советам.оговорюсь, первоначальная схема нарисована с симистором,а не с тиристором,так меньше рисовать,все рисунки подписаны. а вот с уменьшением размера не совсем выходит не силен в этом... но что то вроде пробовал. так что уж не взыщите тут вижу горячие споры возникли по поводу МАТЧАСТИ... я в этом особо то ж не силен,но одно могу сказать, у каждого свой опыт в применении на практике теории и МАТЧАСТИ,кто то ошибается, кто то нет,это все процесс достойный уважения. с ошибок очень часто начинаются великие открытия! еще раз спасибо за участие в моей проблеме,и за советы. к сожалению приходиться прислушаться только к тем ,которые в силах осуществить,и которые могут практически использоваться в моем случае с наименьшими издержками ,как в создании,так и в эксплуатации данной схемки.еще раз спасибо. ..и к модераторам- будьте снисходительны

-- Прилагается рисунок: --

[alexey-b]

viks69
Ни в коем случае не хочу ничего никому навязывать, но думаю, что тебе стоит обратить свое внимание на схему тиристора с дросселем. При всей ее простоте она обладает практически абсолютной термостабильностью и высокой надежностью. Тармостабильность обеспечивается в ней тем, что для открытия тиристора очень велик диапазон токов в управляющий электрод и этот ток в ней выбран близким к предельному. Высочайшая стабильность запирания тиристора обеспечивается в ней замечательным свойством дросселя автоповышать напряжение на своей нагрузке при увеличении сопротивления этой нагрузки (что имеет место происходить с р-n переходами при понижении температуры кристалла полупроводника) и соответственно будет происходить наоборот (при повышении температуры). За счет чего имеет место быть такой эффект ? Дело здесь в том, что эдс самоиндукции дросселя, не замкнутого на нагрузку, может в данном случае приближаться к 100V, но напряжение нагруженного дросселя, реально воздействующего на управляющий электрод тиристора, будет существенно меньше и будет увеличиваться или уменьшаться в соответствии с увеличением или уменьшением резистивных значений р-n перехода тиристора, а при всех реальных температурах будет составлять те несколько вольт, необходимых для его запирания. Поэтому, если ты помнишь, я начал с этого схемного решения. Аналогичное запирание тиристора когда-то было применено мною в электронном зажигании Запорожца. И не было никогда никаких проблем даже в сорокоградусные морозы 1989года. Составной резистор R3 я уже описывал. Переделка дросселя занимает не более получаса. Всего наилучшего.
P.S. Для того, чтобы разглядеть не умещающийся в просмотровом окне рисунок, я пользуюсь правой кнопкой мыши и, выбрав «сохранить рисунок», копирую его на рабочий стол. В формате JPEG практически любая схема не превысит 200кБ и может быть вставлена в текст. Мои рисунки и копии текстов весят около 20кБ в этом формате.

-- Прилагается рисунок: --