Источники питания и свет Актуальные вопросы и ответы по источникам питания, световому оборудованию. |
04.12.2015, 02:00
|
#51
|
Заблокирован
Регистрация: 14.04.2008
Адрес: Украина, совсем рядом от террористов!
Сообщений: 388
Сказал спасибо: 32
Сказали Спасибо 85 раз(а) в 62 сообщении(ях)
|
Re: Управление MOSFET и IGBT
Что Вы хотите на 70 кГц включать? Модуль с fall time 300nS? Конечно, сгорит, только сначала модуль, хотя и на 4 кГц этот кирпич не для IR2130 у него емкость просто огромная. Напряжение имеет значение, погуглите что такое эффект Миллера, для общего развития.
Какой честный ток Вы хоть datasheet на него открывали? 300А при 25 градусах, как говорится честный, но как у всех!
Последний раз редактировалось ALEKSEY188; 04.12.2015 в 02:04.
|
|
|
|
04.12.2015, 02:59
|
#52
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 20.06.2006
Адрес: Украина, Запорожье
Сообщений: 7,982
Сказал спасибо: 0
Сказали Спасибо 4,941 раз(а) в 2,370 сообщении(ях)
|
Re: Управление MOSFET и IGBT
Сообщение от ALEKSEY188
|
Что Вы хотите
|
хочу доказать, что вы некорректно написали
Сообщение от ALEKSEY188
|
где взять такой быстрый транзистор чтобы этого было мало!
|
и дело не только в быстроте, но и в емкости. и зачем приплели какой-то 2130, который только детским игрушкам нужен?
эффект миллера я сознательно оставил за скобками, чтоб заострить внимание на емкости затвора
кстати - пересмотрел еще раз и есть изменения, да. раньше в ДШ см300 указывалась Т 80 градусов, а у ректифаеров 25, но после покупки инфинеоном IR стала честно давать маркировку на 100градусов, но в статике. кругом обман...
|
|
|
|
04.12.2015, 08:07
|
#53
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 28.03.2008
Сообщений: 7,980
Сказал спасибо: 898
Сказали Спасибо 1,153 раз(а) в 925 сообщении(ях)
|
Re: Управление MOSFET и IGBT
Ещё можно организовать умножительнапряжения на паре диодов и конденсаторов, - если смд, то места займёт меньше, чем любой драйвер.
Если же с драйверами полумоста - в даташите есть расчёт ёмкости по минимальной рабочей частоте, хорошая ёмкость и неделю может заряд держать, но никакой гарантии, конечно.
|
|
|
|
04.12.2015, 11:10
|
#54
|
Заблокирован
Регистрация: 14.04.2008
Адрес: Украина, совсем рядом от террористов!
Сообщений: 388
Сказал спасибо: 32
Сказали Спасибо 85 раз(а) в 62 сообщении(ях)
|
Re: Управление MOSFET и IGBT
Сообщение от jump
|
хочу доказать, что вы некорректно написали
|
Вообще это высказывание касалось желания автора темы применить транзистор для выкорачивания затвора, что с этим драйвером относительно бессмысленно! Но если Вам будет легче, признаю некорректно. Хотя если бы я хотел потролить, есть транзисторы и поинтересней этого модуля!
Цитата:
|
и зачем приплели какой-то 2130, который только детским игрушкам нужен?
|
Давайте все по порядку, отделим мух от котлет. IR2110 честный драйвер на 2А, довольно быстрый, предложил его не я, были комментарии по поводу, что он фуфло, сам имею успешный опыт применения, поэтому категорически не согласен с этим утверждением. Это изделие, которое стоит своих денег, до 2nF и 70nS fall time его можно использовать, конечно, есть мощнее, быстрее, надежнее это бесспорно.
Цитата:
|
и дело не только в быстроте, но и в емкости.
|
Разжую, потому что часто выплывают такие заключения! Емкость затвора, как правило, пропорциональна току коллектора, плюс минус. Для того чтобы ее зарядить и разрядить нужен определенный ток, чем быстрее вы хотите ее зарядить, разрядить или удержать тем больший будет импульсный ток. Это касается и rise time, fall time и эффекта Миллера. Это значит, что два транзистора на одинаковый ток коллектора, но разные по скорости переключения, требуют совершенно разных драйверов, причем разница может быть огромной!
Частота ШИМ влияет только на мощность корпуса драйвера и для расчета емкости в случае бутстрипа! Приведенный Вами модуль, несмотря на огромную емкость, очень медленный, импульсные токи там будут не такие большие, как кажется, конечно, IR2110 туда ставить не следует, но мне влом считать, но поверьте на слово, или посчитайте сами!
|
|
|
|
04.12.2015, 11:39
|
#55
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 23.09.2008
Адрес: Козьмодемьянск. Это на Волге.
Сообщений: 2,402
Сказал спасибо: 5,549
Сказали Спасибо 1,049 раз(а) в 605 сообщении(ях)
|
Re: Управление MOSFET и IGBT
Сообщение от ALEKSEY188
|
...
Разжую, ...!
|
Писец. С таким апломбом верещать прописные истины... По ходу, для этого надо жить совсем рядом с террористами и обязательно вна Украине.
|
|
|
|
04.12.2015, 13:18
|
#56
|
Заблокирован
Регистрация: 14.04.2008
Адрес: Украина, совсем рядом от террористов!
Сообщений: 388
Сказал спасибо: 32
Сказали Спасибо 85 раз(а) в 62 сообщении(ях)
|
Re: Управление MOSFET и IGBT
За апломб спасибо, а вот Украину не трогайте, тут за такое банят, и я считаю совершенно оправданно!!!
|
|
|
|
04.12.2015, 16:29
|
#57
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 19.02.2008
Сообщений: 1,809
Сказал спасибо: 124
Сказали Спасибо 604 раз(а) в 421 сообщении(ях)
|
Re: Управление MOSFET и IGBT
Будь я модератором, я бы Вас забанил за адрес. Ведь это можно отнести и к моей стране.
|
|
|
Эти 3 пользователя(ей) сказали Спасибо andries5 за это сообщение:
|
|
|
Ваши права в разделе
|
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения
HTML код Выкл.
|
|
|
Часовой пояс GMT +4, время: 20:19.
|
|