ШИМ и измерение напряжения

[Godzilla82]

Для полевиков все противоположно, при увеличении температуры сопротивление канала увеличивается

Ну тогда всё нормально. Значит я что-то попутал. Сейчас глянул в даташит - действительно сопротивление при нагреве увеличивается.

[miwutka]

picavr, Не совсем понял схемы обе на картинке. Слева драйвер для NPN а справа для PNP? если да то почему на полевик приходит минус справа.....? Он же Р-канальный..... Получается на двух биполярниках собирается драйвер? А для чего диод? У меня N-канальный мосфет открывает H-канальный. Может туда просто диод поставить? Я не до конца понимаю что такое мосфет. Знаю что это биполярник с изолированным затвором...... Объясните плиз кто может...

[jump]

биполярник с изолированным затвором

это IGBT, а MOSFET - управляемое потенциалом сопротивление (упрощенно), есть потенциал на затворе (обкладке конденсатора относительно пластины полупроводника) - сопротивление канала мало, ток течет, нет или противоположного знака - сопротивление велико, ток не течет. на самом деле там все основано на проводимостях N и P каналов полупроводников, миграции основных/неосновных носителей заряда

[miwutka]

тогда борьба с перезарядом емкости у мосфета сводится к установке драйвера.......? Неужели он поможет от перегрева мосфета и будет держать его в нужном режиме.....

[Godzilla82]

Неужели он поможет от перегрева мосфета и будет держать его в нужном режиме.....

Выложи схему по которой греется.

Чтобы транзистор полностью открылся, нужно, чтобы между истоком и затвором было напряжение 5-7 В (для 5305). Если напряжение будет меньше, сопротивление канала (между стоком и истоком) будет значительно больше 60 мОм (другими словами - нагрев).

Допустим, входная ёмкость 1200 пФ. Если на затвор подавать импульсы амплитудой 7 В через сопротивление 10 кОм, то время полного открытия составит около 20-30 мкс.

Понятно, что при частоте ШИМ 40 кГц транзистор никогда не откроется полностью. Но при частоте ШИМ 1 кГц время переходных процессов составит примерно 5%. Это не так уж и мало.

Но для тока нагрузки 300 мА выделяемая мощность на транзисторе будет не больше 0,1-0,2 Вт. Греться при такой мощности ничего не должно.

Слева показан график зависимости тока через транзистор от напряжения между истоком и затвором. Справа - выходная характеристика, по которой можно определить сопротивление канала в зависимости от напряжения на затворе.

Если напряжение исток-затвор 4В, то максимальный ток, который пойдёт через транзистор будет около 1,7 А.

Сопростивление канала при напряжении исток-затвор 4,5 В составляет примерно 150 мОм.

[МВА]

а кто будет ёмкость затвора перезаряжать БЫСТРО?...

Всем привет.
В драйвере на транзисторе PNP полярность включения диода не правильная. На затвор не пройдет положительное напряжение через нижний транзистор.

[EdisonS]

miwutka, LM338K Вам в помощь, её можно запустить и как регулятор и как ограничитель тока. Как выходной какскад - самое то. Правда если параметры устроят - 8A, 12A max, правда минимальный ток выхода 10mA, 35V input max.

[miwutka]

Godzilla82, а как вы пересчитали вот это "около 20-30 мкс."? Поделитесь формулкой... Ага теперь я понял еще пару графиков из даташита )) спасибо вам! Значит когда я подаю импульс на затвор то разность потенциалов между затвор исток должно быть например 6 вольт для 20 ампер вроде. То есть если я это выдержу то соотв. и нагрев упадет. Значит мне надо както узнать какое у меня напряжение затвор исток.... так как это шим то наверно только осциллографом...? На затвор подаю сигнал через 1 ком резистор. Или наверно этот резистор уменьшать... Я зарисовал схему свою на бумаге. Если выложу может бегло глянете чего там не того ?))

[miwutka]

Вот добавил фото схемы. Все регулирует отлично. Проверил на аналоговой. Просто греется полевик ))

[jump]

Просто греется полевик

причин две - нет защитного диода с земли на сток (паразитный не в счет) и нет нормального драйвера затвора