Реклама на сайте English version  DatasheetsDatasheets

KAZUS.RU - Электронный портал. Принципиальные схемы, Datasheets, Форум по электронике

Новости электроники Новости Литература, электронные книги Литература Документация, даташиты Документация Поиск даташитов (datasheets)Поиск PDF
  От производителей
Новости поставщиков
В мире электроники

  Сборник статей
Электронные книги
FAQ по электронике

  Datasheets
Поиск SMD
Он-лайн справочник

Принципиальные схемы Схемы Каталоги программ, сайтов Каталоги Общение, форум Общение Ваш аккаунтАккаунт
  Каталог схем
Избранные схемы
FAQ по электронике
  Программы
Каталог сайтов
Производители электроники
  Форумы по электронике
Помощь проекту

Измерительное оборудование Осциллографы, мультиметры, анализаторы и другая измерительная техника необходимая каждому разработчику.

 
Опции темы
Непрочитано 31.05.2019, 00:53  
sat_art
Вид на жительство
 
Регистрация: 27.11.2007
Сообщений: 434
Сказал спасибо: 19
Сказали Спасибо 39 раз(а) в 30 сообщении(ях)
sat_art на пути к лучшему
По умолчанию Импульсное измерение сопротивления переходов mosfet и IGBT

Делал для себя игрушку.
Возможно кому то пригодится.

Краткое описание.

Назначение.

Измерение сопротивления переходов полевых транзисторов и падения напряжения коллектор-эмиттер IGBT транзисторов.

Принцип работы

Импульсное измерение автоматически один раз в секунду импульсом 0.7-0.8 мС.
В качестве нагрузки выступает внешне подключаемое сопротивление (0.5 - 2 Ома) какой ток вам необходим.
Питание 12-15В.
Напряжение питания накапливается в двух конденсаторах и при измерении немного просаживается.
На приложенных осциллограммах видно как это происходит.
После подачи импульса на затвор - через 100мкС производится 200 измерений, которые усредняются для увеличения точности.
На индикаторе могут отображаться:
1. 0.123 - сопротивление сток-исток (drain-source) полевых или коллектор-эмиттер IGBT транзисторов.
2. 1.12u - падение напряжения сток-исток (drain-source) полевых или коллектор-эмиттер IGBT транзисторов.
3. 12.4U - напряжение питания.
4. 15.3A - ток в момент измерения.
Режим отображения изменяется кнопкой "Sel".



Правильно собранное ус-во в настройке не нуждается.
В качестве индикатора можно применить общий анод или общий катод. При первом включении на индикаторе будет отображаться слово tESt раз в секунду изменяя отображение с общим анодом или катодом. При правильном состоянии необходимо нажать любую кнопку. Выбор сохранится и будет использован в дальнейшем.

На данный момент задействована одна кнопка (для выбора вариантов отображения).

Остальные две планируется использовать в будущих прошивках (для калибровки и т.п.) если будут заинтересованные люди.

Размер изделия без корпуса 50х45 мм.
Прошивка контроллера в архиве.


Микроконтроллер используется STM32F030C6(. С цифрой 8 - больше памяти. Лучше использовать его если есть желание в даьнейшем обновлять возможности ус-ва.


Перемычка JP3 используется для прошивки микроконтроллера.
При замыкании 1 и 2 - нормальная работа и программирование через ST-Link

Прошить микроконтроллер можно не имея программатора. Достаточно иметь переходник USB-Serial.
И на время прошивки перемычку запаять на 2 и 3.

Как это сделать можно почитать в интернете. https://habr.com/ru/post/437234/


Задаем вопросы и пожелания на форуме.

Приложенные осциллограмы и изображения сделаны при прверке тр-ра FGA25N120 с током измерения ~15А


Плата специально разведена на одной стороне для самостоятельного изготовления.

Возможно немного сумбурно написано - но я больше читатель чем писатель.
Миниатюры:
Нажмите на изображение для увеличения
Название: lay.JPG
Просмотров: 0
Размер:	661.4 Кб
ID:	142293   Нажмите на изображение для увеличения
Название: 2019-05-30_23-08-13.png
Просмотров: 0
Размер:	53.9 Кб
ID:	142294   Нажмите на изображение для увеличения
Название: 2019-05-30_23-07-35.png
Просмотров: 0
Размер:	31.2 Кб
ID:	142295  

Нажмите на изображение для увеличения
Название: Osc_drain_source.jpg
Просмотров: 0
Размер:	44.8 Кб
ID:	142296   Нажмите на изображение для увеличения
Название: Osc_gate_power.jpg
Просмотров: 0
Размер:	47.0 Кб
ID:	142297   Нажмите на изображение для увеличения
Название: IMG_20190530_223715_DRO.jpg
Просмотров: 0
Размер:	801.2 Кб
ID:	142298  

Нажмите на изображение для увеличения
Название: IMG_20190530_223923_DRO.jpg
Просмотров: 0
Размер:	1.04 Мб
ID:	142299   Нажмите на изображение для увеличения
Название: IMG_20190530_224002_DRO.jpg
Просмотров: 0
Размер:	1.89 Мб
ID:	142300   Нажмите на изображение для увеличения
Название: schematic.JPG
Просмотров: 0
Размер:	293.4 Кб
ID:	142323  

Вложения:
Тип файла: zip Doc.zip (9.25 Мб, 0 просмотров)
Реклама:

Последний раз редактировалось sat_art; 01.06.2019 в 09:18.
sat_art вне форума  
Эти 5 пользователя(ей) сказали Спасибо sat_art за это сообщение:
ForcePoint (31.05.2019), georg65 (31.05.2019), mike-y-k (31.05.2019), Simm (31.05.2019), _musicant (27.11.2023)
Непрочитано 31.05.2019, 09:41  
dgrishin
Почётный гражданин KAZUS.RU
 
Регистрация: 12.02.2013
Сообщений: 1,047
Сказал спасибо: 43
Сказали Спасибо 273 раз(а) в 214 сообщении(ях)
dgrishin на пути к лучшему
По умолчанию Re: Импульсное измерение сопротивления переходов mosfet и IGBT

Эквивалентная схема IGBT транзистора

Нажмите на изображение для увеличения
Название: ekviv-igbt.png
Просмотров: 0
Размер:	2.2 Кб
ID:	142306
dgrishin вне форума  
Сказали "Спасибо" dgrishin
mike-y-k (31.05.2019)
Непрочитано 31.05.2019, 10:20  
mike-y-k
Модератор
 
Регистрация: 04.08.2010
Адрес: Москва СЗАО
Сообщений: 11,260
Сказал спасибо: 11,170
Сказали Спасибо 3,860 раз(а) в 2,930 сообщении(ях)
mike-y-k на пути к лучшему
По умолчанию Re: Импульсное измерение сопротивления переходов mosfet и IGBT

sat_art, если использовать мелкий LCD/OLED, прикрутить енкодер - при минимуме затрат резко возрастёт usability…
В следующих версиях добавить:
  • регулировку управляющего напряжения и измерение на нескольких значениях напряжения на затворе;
  • возможность использования регулировки напряжения DS/EC в более широких пределах;
  • датчик температуры для испытуемого;
  • кривые напряжения на затворе совместно с кривыми падения напряжения DS/EC (уже
  • управление током нагрузки.
И тогда с запасом осуществится мечта уважаемого Demo65 по проверке партий транзисторов с aliexpress
__________________
rtfm forever должно быть основой для каждого. Альтернатива грустна, поскольку метод слепого щенка успешно работает при весьма малом числе вариантов…
mike-y-k вне форума  
Непрочитано 31.05.2019, 11:07  
dgrishin
Почётный гражданин KAZUS.RU
 
Регистрация: 12.02.2013
Сообщений: 1,047
Сказал спасибо: 43
Сказали Спасибо 273 раз(а) в 214 сообщении(ях)
dgrishin на пути к лучшему
По умолчанию Re: Импульсное измерение сопротивления переходов mosfet и IGBT

Если важен не сам процесс, а готовый результат, то

https://www.aliexpress.com/item/2016...782708054.html

Последний раз редактировалось mike-y-k; 14.10.2023 в 22:56. Причина: 7.19.1
dgrishin вне форума  
Непрочитано 31.05.2019, 11:14  
ForcePoint
Почётный гражданин KAZUS.RU
 
Регистрация: 20.03.2007
Адрес: "Братское кольцо враждебности", т.е. ближайшее заМКАДье.
Сообщений: 7,069
Сказал спасибо: 3,052
Сказали Спасибо 3,222 раз(а) в 2,187 сообщении(ях)
ForcePoint на пути к лучшему
По умолчанию Re: Импульсное измерение сопротивления переходов mosfet и IGBT

Сообщение от dgrishin Посмотреть сообщение
Эквивалентная схема IGBT транзистора
И что? Считаешь, что основной ток нагрузки идёт через базовый переход, а не как у всех биполярников?
__________________
Экзорцист 40-го уровня.
ForcePoint вне форума  
Непрочитано 31.05.2019, 11:35  
dgrishin
Почётный гражданин KAZUS.RU
 
Регистрация: 12.02.2013
Сообщений: 1,047
Сказал спасибо: 43
Сказали Спасибо 273 раз(а) в 214 сообщении(ях)
dgrishin на пути к лучшему
По умолчанию Re: Импульсное измерение сопротивления переходов mosfet и IGBT

Сообщение от ForcePoint Посмотреть сообщение
И что? Считаешь, что основной ток нагрузки идёт через базовый переход, а не как у всех биполярников?
Я считаю что падение б-э на IGBT транзисторе можно измерить.
Правда не знаю какой в этом практический смысл если IGBT (ИМХО) в основном используют как ключи.
dgrishin вне форума  
Непрочитано 31.05.2019, 13:14  
sat_art
Вид на жительство
 
Регистрация: 27.11.2007
Сообщений: 434
Сказал спасибо: 19
Сказали Спасибо 39 раз(а) в 30 сообщении(ях)
sat_art на пути к лучшему
По умолчанию

Коллектор конечно.
Устал вчера. Раз написал, и два раза скопировал.
Спасибо.

Сообщение от mike-y-k Посмотреть сообщение
если использовать мелкий LCD/OLED
Делал для себя, а у меня куча этих семисегментников.

Сообщение от mike-y-k Посмотреть сообщение
регулировку управляющего напряжения и измерение на нескольких значениях напряжения на затворе;
Сообщение от mike-y-k Посмотреть сообщение
возможность использования регулировки напряжения DS/EC в более широких пределах;
Резко сильное усложнение схемы.


Сообщение от mike-y-k Посмотреть сообщение
датчик температуры для испытуемого;
Нужен только при длительном воздействии или для построения графиков зависимости параметров от температур.

Сообщение от mike-y-k Посмотреть сообщение
управление током нагрузки.
Для проверки партии разных, разные сопротивления. Кусочек нихрома, двигаем туда сюда один конец.

Сообщение от dgrishin Посмотреть сообщение
Если важен не сам процесс, а готовый результат, то
Я сомневаюсь, что там может быть ток через коллектор больше ампера.
Для меня как раз и стояла задача измерять на приличном токе.

Что то вчера не все описание скопировал и вставил.

Последний раз редактировалось mike-y-k; 31.05.2019 в 14:04.
sat_art вне форума  
Непрочитано 31.05.2019, 14:32  
mike-y-k
Модератор
 
Регистрация: 04.08.2010
Адрес: Москва СЗАО
Сообщений: 11,260
Сказал спасибо: 11,170
Сказали Спасибо 3,860 раз(а) в 2,930 сообщении(ях)
mike-y-k на пути к лучшему
По умолчанию Re: Импульсное измерение сопротивления переходов mosfet и IGBT

dgrishin, недостатки тестера Маркуса уже не раз обсуждали. Он таки сильно ограничен с мощными и высоковольтными деталями. Получение им близкого к реальному RDSon под большим вопросом, как и проверка/подбор по этому критерию…
Уже был не один прецедент с партиями, которые отлично горели при значительно меньших нагрузок к паспортным и после проверки уже в лаборатории оказывались отбраковкой/перемаркировкой.

sat_art, так я собственно не за Вас, а за остальных радею с экраном, энкодером,…
Кусок нихрома вполне годится, но несколько кусков с подстройкой и возможность их коммутации (несколько ключей или реле) сделают прибор богаче по возможностям.
Датчик температуры даже просто для фиксации оной в момент измерения - Вы таки не планируете термостатированный перед измерениями по значениям температуры в DS Ну а возможность посмотреть на реальную картину RDSon от температуры в некотором диапазоне представляется совсем не лишней. Там по большей части только код добавится. Можно использовать бесконтактный измеритель.
Ну и в дополнение к возможностям на будущее - минимум оценка ёмкости затвора.
__________________
rtfm forever должно быть основой для каждого. Альтернатива грустна, поскольку метод слепого щенка успешно работает при весьма малом числе вариантов…
mike-y-k вне форума  
Непрочитано 31.05.2019, 14:38  
sat_art
Вид на жительство
 
Регистрация: 27.11.2007
Сообщений: 434
Сказал спасибо: 19
Сказали Спасибо 39 раз(а) в 30 сообщении(ях)
sat_art на пути к лучшему
По умолчанию Re: Импульсное измерение сопротивления переходов mosfet и IGBT

Сообщение от mike-y-k Посмотреть сообщение
Датчик температуры даже просто для фиксации оной в момент измерения - Вы таки не планируете термостатированный перед измерениями по значениям температуры в DS Ну а возможность посмотреть на реальную картину RDSon от температуры в некотором диапазоне представляется совсем не лишней. Там по большей части только код добавится. Можно использовать бесконтактный измеритель.
Ну и в дополнение к возможностям на будущее - минимум оценка ёмкости затвора.
Концепция была на минимализм без использования мощного БП. И как раз импульсный режим избавляет от нагрева совсем.
А тут надо БП городить, что бы длительно можно было открывать без просадки питающего напряжения.
Хотя теоретически добавить датчик температуры не проблема и использую мощный БП можно строить график RDSon от температуры.
sat_art вне форума  
Непрочитано 31.05.2019, 15:10  
mike-y-k
Модератор
 
Регистрация: 04.08.2010
Адрес: Москва СЗАО
Сообщений: 11,260
Сказал спасибо: 11,170
Сказали Спасибо 3,860 раз(а) в 2,930 сообщении(ях)
mike-y-k на пути к лучшему
По умолчанию Re: Импульсное измерение сопротивления переходов mosfet и IGBT

sat_art, модуль с сборкой от Melexis MLX90614 (‹$5) с тубусом на измеритель создаст хорошую основу.
Начальная концепция понятна, теперь уже появился опыт и шишки набились можно оглянуться и подумать о росте…
Собственно аскетичная реализация дополнений не столь сложна - таки это не промышленный прибор для поточной линии и нет задачи получить прецизионное устройство.

Для измерений с температурой - вполне подойдёт просто PWM сигнал управления с изменяющейся от базовой скважностью.
__________________
rtfm forever должно быть основой для каждого. Альтернатива грустна, поскольку метод слепого щенка успешно работает при весьма малом числе вариантов…

Последний раз редактировалось mike-y-k; 31.05.2019 в 15:13.
mike-y-k вне форума  
 

Закладки
Опции темы

Ваши права в разделе
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения

BB коды Вкл.
Смайлы Вкл.
[IMG] код Вкл.
HTML код Выкл.

Быстрый переход

Похожие темы
Тема Автор Раздел Ответов Последнее сообщение
1ED44176 — новый драйвер MOSFET и IGBT с токовой защитой КОМПЭЛ Электроника - это просто 0 21.03.2019 11:58
Измерение сопротивления тиристора gbdj Электроника - это просто 21 01.01.2017 23:13
Управление MOSFET и IGBT vladh Источники питания и свет 56 04.12.2015 16:29
Измерение сопротивления тела человека (МП, схема...) already_over Электроника - это просто 17 17.05.2011 10:13
Измерение активной составляющей сопротивления эл.двигателя. woroba Электроника - это просто 16 18.12.2009 10:36


Часовой пояс GMT +4, время: 03:34.


Powered by vBulletin® Version 3.8.4
Copyright ©2000 - 2024, Jelsoft Enterprises Ltd. Перевод: zCarot