Симулятор LTspice XVII - Страница 28

цифровик · 10.06.2019, 07:52

Да и полевики бывают разные. Есть микромощные например такие как наши. Их огромный выбор. Такие как например КП103 или КП305. Применяются для каскадов усиления. Там по моему диодов нет или есть ?. В то же время наши мощные также можно применять в линейном режиме. Работают не плохо. Никогда полевики в железе тестером не проверял. Наши вообще статики бояться, жуть. Тут помню на одном чешском аналоговом осциллографе заменял входные транзисторы типа как раз КП 305. Да еще они работали в дифф. каскаде в паре. Хорошо было из чего выбирать. Нашел правда замену. Но возни было много по времени. А двух затворные наши и импортные работают замечательно во входных каскадах. Тоже имел дело с ними. Делал входной формирователь- усилитель с синуса в прямоугольник, тогда еще для самодельного частотомера. С 20 мв по синусу и частотке до 60 мгц.

Yuri222 · 10.06.2019, 10:29

Сообщение от parovoZZ

Почему же в МОП не могут от него избавиться?

Это технологический паразитный диод. Т.н. body diode.

bordodynov · 10.06.2019, 10:34

Сообщение от parovoZZ

А в полевиках со встроенным каналом (JFET) такой диод отсутствует. Почему же в МОП не могут от него избавиться?

Потому, что всегда есть подложка, а в ней есть исходная область высокоомного кремния и в которой будут формировать транзистор. Эта область кремния, которая и является четвёртым выводом. На символе это стрелочка. Для n-канального транзистора стрелочка направлена к каналу. В основе МОП транзистора лежит МОП структура. Так вот П это и есть полупроводник (и подложка). Без него никак. Получается структура из двух диодов. Потому-что для получения стока и истока в этом высокоомном кремнии формируют области низкоомного кремния противоположного типа, а между ними этот высокоомный полупроводник. Получается два встречных диода. При подаче на затвор достаточного напряжения наводится (притягивается из подложки) заряд и появляется проводящий канал.
Можно конечно не присоединять подложку. Такие транзисторы есть. Также при изготовлении микросхем с изоляцией диэлектриком подложка каждого транзистора болтается. Но при этом образуется паразитный биполярный транзистор с оборванной базой, а это сильно снижает пробивное напряжение. По этому подложку закорачивают с истоком и получается диод между стоком и истоком.

цифровик · 10.06.2019, 16:20

Сообщение от bordodynov

Потому, что всегда есть подложка, а в ней есть исходная область высокоомного кремния и в которой будут формировать транзистор. Эта область кремния, которая и является четвёртым выводом. На символе это стрелочка. Для n-канального транзистора стрелочка направлена к каналу. В основе МОП транзистора лежит МОП структура. Так вот П это и есть полупроводник (и подложка). Без него никак. Получается структура из двух диодов. Потому-что для получения стока и истока в этом высокоомном кремнии формируют области низкоомного кремния противоположного типа, а между ними этот высокоомный полупроводник. Получается два встречных тиода. При подаче на затвор достаточного напряжения наводится (притягивается из подложки) заряд и появляется проводящий канал.
Можно конечно не присоединять подложку. Такие транзисторы есть. Также при изготовлении микросхем с изоляцией диэлектриком подложка каждого транзистора болтается. Но при этом образуется паразитный биполярный транзистор с оборванной базой, а это сильно снижает пробивное напряжение. По этому подложку закорачивают с истоком и получается диод между стоком и истоком.

Cпасибо. Так все по полевикам хорошо и понятно объяснили. Мне например в професс. деятельности мало с ними приходилось иметь дело.
У нас в основном была цифра. Кодеры-декодеры. Кодировали сигналы
для закрытых каналов связи. До 91 года. Соседние отделы занимались аналоговой тематикой. Но все это делалось для армейских станций. Полная элл. база только отечественная с военной приемкой. Заказывать могли что угодно на заводах изготовителях. Курировало наш институт КГБ. В основном контактировали с г. Зеленоградом.
Насчет этого внутреннего диода на мощных импорт. мосфетах. А не защитный он делается. Например при индуктивной нагрузки на мосфет.
У меня например на работе два мощных мосфета управляют элл. пельтье. Там стоят две индуктивности по фильтру и без всяких внешних защитных диодов.
диодов. Управление по ШИМ.

Yuri222 · 10.06.2019, 16:30

Сообщение от цифровик

А не защитный он делается. Например при индуктивной нагрузки на мосфет.

Нет. Написал же - паразитный - т.е. вредный.
Его параметры в десяток раз хуже, чем у отдельного внешнего специально сделанного диода - большой заряд восстановления.
В некоторых схемах из-за этого могут возникнуть большие проблемы.

Сообщение от цифровик

две индуктивности по фильтру и без всяких внешних защитных диодов.

это выражение можно понять совершенно по-разному...

bordodynov · 10.06.2019, 17:06

Сообщение от цифровик

А не защитный он делается. Например при индуктивной нагрузки на мосфет.

Специальным профилем легирования и хорошей воспроизводимостью техпроцесса, пробой (лавинный) происходит практически одновременно. Транзистор состоит из многих тысяч ячеек (и соответственно многих диодов). При высоких пробивных напряжениях температурный коэффициент этого напряжения положительный, что хорошо. Как только ячейка по сравнению с соседними ячейками начинает давать больший ток, то она больше нагревается и напряжение лавинного пробоя у неё растёт.
Для некоторых транзисторов нормируется энергия, рассеиваемая при пробое. Иногда указывают индуктивность при максимальном токе. Её энергия L(i^2)/2. На меньших токах можно применять большие индуктивности. Т.е. при определённых условиях пробой происходит, но встроенный диод не выходит из строя. Диод берёт энергию дросселя на себя. С низковольтными полевиками дело обстоит хуже и необходим обратный диод.

Yuri222 · 10.06.2019, 18:38

bordodynov, имхо цифровик имел в виду не про лавинный пробой, когда диод работает как transil (или стабилитрон), а диод в мостовых/полумостовых схемах, когда он открывается при смене полярности на индуктивности в начале паузы (dead time), когда оба полевика (верхний и нижний) закрыты.
Ув. цифровик'а порой трудно понять из-за своеобразности его формулировок (терминов)...

Спасибо за Ваши объяснения!

цифровик · 11.06.2019, 07:54

Вот еще в дополнение по полевикам. Там подробное описание также обычных биполярных и IGBT транзисторов у которых тот же затвор по управлению, управляемые полем, но канал обычного биполярного.

http://electrik.info/main/praktika/1...anzistory.html

цифровик · 11.06.2019, 08:22

Сообщение от Yuri222

Ув. цифровик'а порой трудно понять из-за своеобразности его формулировок (терминов)...

.... я имел ввиду тот диод который мы ставим параллельно нагрузки транзистора не обязательно полевого но и биполярного. Например когда в цепь стока или коллектора ставим катушку реле. Таже самая индуктивная нагрузка. Кстати есть биполярные транзисторы которые внутри имеют этот диод.
Он внутри не как не связан со структурой. Просто сам прибор имеет не три вывода, а пять.

Например управление элл. пельтье. Защитные диоды шотки обязательно стоят в цепях фильтров.

bordodynov · 11.06.2019, 09:07

Для низковольтных транзисторов обязательно ставить этот диод. Иногда, когда через диод транзистора течёт прямой ток, целесообразно ставить параллельно сток-исток диод шоттки. Это уменьшает потери.