Пользуясь симулятором - не забывайте верифицировать модели.

[ForcePoint]

Aleksandr52, Вы меня слышите, но не понимаете. И, как обычно, уводите разговор туда, где, как Вам кажется, - понимаете.
Я говорю именно о "Нам пользователям нужно что бы модели любых компонентов были сделаны более точно.", но более доходчиво Вам это обьяснить не смогу. Добавлю только, что обычно - меня не интересуют корпуса и расположение выводов.

[bordodynov]

Нахрен мне ваши эти что и как работает в моделях. Это дело разработчиков
программ.

Ну и пользуйтесь Мультисимом в котором полно корявых, поганых моделей. При разработке конструкции кто отвечает за её функционирование вы или разработчик Мультисима? Разве вы не читали лицензионные соглашения, в которых разработчик снимает с себя всякую ответственность. Разработчики ничего вам не должны.
Спасение утопающих - дело рук самих утопающих!

[ForcePoint]

транзисторы и ОУ работают с глубокой ООС

Справедливости ради - не транзисторы, а "транзисторные каскады". И, опять же, есть приверженцы без-ООСности. В конце концов, даже в простейшем усилителе переменного напряжения single-ended с ОЭ, - зачастую стремятся поднять усиление шунтированием эмиттерного резистора. Тут - будут интересны сопротивления переходов и модуляция бета током эмиттера (см. Корделл).
И - можно без труда придумать приложения, где решающими будут сопротивления переходов, Is и их температурные вариации. Например - точные усилители постоянного тока, источники опорного напряжения и т.п.

[ForcePoint]

P.S. Те, кто не понимает или кого не интересует верификация моделей компонентов - могут с чистой совестью оставить эту тему.

[ForcePoint]

Смысл обрабатывать железяку с микронной точностью, если достаточно +-1 мм?

В том, что при достаточных ±1 мм может быть выбор только из ±10 мм и ±25.4 мм. См. первое сообщение темы:

Собираете схему из datasheet и сравниваете, хотя бы качественно, вид получаемых кривых.

Сообщение от ForcePoint

На RCL до сих пор никто не понял, что в транзисторной модели [ОУ] надо делать выходные транзисторы большего размера (как это есть в реальном кремнии).

Сделайте большего размера, кто ж не даёт.
Там и выяснится, как реагирует модель усилителя на это усовершенствование.

Чего же проще - поставьте в схему "Паруса" 2N5551/5401 драйверами и BD137/138 выходниками и просимулируйте на мощности 50% от номинала для 2SC5200/SA1943.

[ForcePoint]

Чесслово ничо не понял.

Вот и я говорю, что мы читаем друг друга, но не понимаем.
Пожалуй - тут я не точно выразился. Я говорю о случае, когда достаточно точности детали 1 мм, но для измерений есть только портновская рулетка с сантиметром и дюймом. Так и "модель с потолка" - сделана по портновской рулетке.

Только не на 50% 5200 - это прям борзёж, а в пределах свой мощи.

Вот!

Нажмите, чтобы открыть спойлер

Проведите аналогию между мощником и ОУ - и поймёте, зачем в ВК транзисторной модели ОУ транзисторы большей площади.

[ForcePoint]

... посмотрите величину токов выходного каскада ОУ в глубокоосном усилителе и поймёте, почему недошлифованая модель ОУ даёт очень хорошее соответствие железу.

А если захочется "малой кровью" улучшить параметры имеющегося железа?

Нажмите, чтобы открыть спойлер

А, например, любые модели 5200/1943 (и аналогичных) не могут правильно работать на малых-средних-больших токах, поэтому, у меня их по две: одна для средних токов, другая для больших

Не любые, а неполные. За чем же дело встало? Объедините их в одну. Не дожидайтесь bordodynov!
beta degradation at low current: ISC, ISE, NC, NE
beta degradation at high current: IKF, IKR
resistor: RB, RBM, IRB, RE, RC

[ForcePoint]

Tf - Ideal forward transit time
Qtf - Variation of Tf with base-width modulation
Xtf - Coefficient for bias dependence of Tf
Vtf - Voltage giving Vbc dependence of Tf
Itf - High current dependence of Tf

https://kazus.ru/forums/showthread.p...06#post1407106

P.S.

Сделайте большего размера, кто ж не даёт.

Сообщение от ForcePoint

Сделал. Откликов о верификации не было. Сообщение от Алексей_ПП [нелинейность] Бета не интересует совершенно, поскольку линейность выходных транзисторов чрезвычайно слабо влияет на линейность усилителя.

А потом - эти люди жалуются на несоответствие моделей и лепят на К157УД1 с выходным током в несколько сотен мА весьма лишние для "ушника" внешние транзисторы вместо осмысленного подбора коррекции.

[ForcePoint]

Попробовал сделать схему для оценки шумовых параметров биполярного транзистора в зависимости от тока эмиттера, напряжения коллектор-эмиттер и сопротивлений... Но забыл сперва посмотреть, у скольких моделей в коллекции bordodynov проставлены ненулевые параметры фликер-шума. Оказалось, их можно по пальцам перечесть: BC847BN Philips, 2N5109 СВЧ Motorola, 2N3866 СВЧ, BCV61 Siemens, AG128 германий, (Q)MMBT6429LT1, 2SC2510 СВЧ, КТ3107Л, КТ3102Е, ГТ322 германий, 2N4125 NSC, 2N4126_ Siemens. И даже у этих остатков - похожие на враки Rb. Кроме, пожалуй 2SC2510, 2N4126_ и КТ3107Л.
Такие дела... только на слух и на RMAA подбирать транзисторы и режимы.

Раз уж сделал - схема такая, на частоте 1 кГц при фиксированном CE ~ 5 В. R1-L1 - эквивалент головки воспроизведения, возбуждаемый током I1. Голубая линия - КТ3102Е, коричневая - BC550_Cordell. Обе линии - при сопротивлении нагрузки 56 кОм. Показано влияние шума на сопротивлении базы (rb), фликер-шума тока базы (fib, в модели Корделла - ноль), дробового шума тока базы (sib) и шума на сопротивлении нагрузки (R2). Остальные составляющие - заметно меньше.

Bordodynov, Ваше мнение?

P.S. Есть ошибка. Надо зашунтировать I2 конденсатором, чтобы пропустить сигнал к эмиттеру.

P.P.S. Модель под №3 - ошибочная, p-n-p вместо n-p-n.

[bordodynov]

ForcePoint,
Вообще возникла парадоксальная ситуация и она мне не нравится. Когда берёшь малошумящий транзистор с параметрами для шума, а затем ширпотреб, то в моделировании побеждает ширпотреб. Да я согласен, что у большинства моделей сильно занижено значение Rб. Это связано с тем, что когда делают параметры про шумы не думают. А в ключевом режиме, который используют для вычисления Rb её величина гораздо ниже чем в микрорежиме. Микрорежим используют в малошумящем режиме. Для некоторых советских транзисторов я подбирал более разумные значения Rb. В частности КТ3107л и КТ3102E. Они у меня были и я их использовал в микрорежиме в УЗЧ. Для некоторых ВЧ транзисторов то же подбирал.