Полупроводники

MOSFE · 18.10.2014, 15:19

Всем привет, читаю английскую литературу и никак не могу понять суть следующих режимов (?):

1. Depletion regime:

Насколько я понимаю, это режим обеднения, когда, например в NMOST Транзисторе, мы подаем на затвор отрицательное напряжение, в следствии чего электроны "отталкиваются", а "дырки" наоборот заполоняют канал и тем самым увеличивается сопротивление.

2. Accumulation regime

Тут все наоброт, на затвор подаем положительное напряжение, электроны притягиваются, заполоняют канал, появляется ток, "дырки" уходят в подложку.

3. Flatband

Вообще не могу понять толком что это, нашел только, что это напряжение при котором, нет электрического заряда в полупроводнике и нет подения напряжения.

4. Thershold voltage

Тоже не совсем понимаю что это, нашел только, что это напряжение, при котором транзистор активируется

5. Inversion

Это режим или нет ? Понял, что происходит инверсия типа проводимости, но почему она происходит и как, не понимаю...

Попровьте пожалуйста, где я не прав, и помогите разобраться в сути. Желательно объяснение "на пальцах"... Также приложил слайды, где я это прочитал

Falconist · 18.10.2014, 15:26

1) Верно.
4) Thershold - "порог". Как, например, у диода. Пока прямое напряжение не превысило 0,7 В - тока нет.

MOSFE · 18.10.2014, 15:34

Сообщение от Falconist

1) Верно.
4) Thershold - "порог". Как, например, у диода. Пока прямое напряжение не превысило 0,7 В - тока нет.

По поводу 1) пункта, в одном русском источнике встретил противоположное утверждение ,при том тоже для транзисторов с n-типа канала. Я не знаю, могу ли вставить прямую ссылку на сайт, так что скрин прикрепил. Получается, на этом сайте ошибка ?

Falconist · 18.10.2014, 15:44

Depletion Mode FET - это полевой транзистор обедненного типа. Нормально открытый.
Enhancement Mode FET - это полевой транзистор обогащенного типа. Нормально закрытый.
И никак иначе. Еще.

Английское слово "mode" переводится именно как "режим". По первой приведенной мною ссылке, в разделе "Alternative terminology" указано, что "Some sources says "depletion type" and "enhancement type"...". Почему в приведенных Вами скринах применено слово "regime" вместо "mode" - сказать трудно. Это как-то "не по-английски".

MOSFE · 18.10.2014, 15:56

Сообщение от Falconist

Depletion Mode FET - это полевой транзистор обедненного типа. Нормально открытый.
Enhancement Mode FET - это полевой транзистор обогащенного типа. Нормально закрытый.
И никак иначе. Еще.

Блин, такая каша в голове. Может пожалуйста, поправить:

depletion=обеднение= Отрицательный заряд на затворе для N-типа транзистора (притягиваются "дырки", заполоняют весь канал =› Электроны не могут двигаться от истока к стоку)

enhancement=accumulation=обогащение= положительный заряд на затворе для для N-типа транзистора (притягиваются электроны в канал, "дырки" уходят в глубь подложки, образуется канал, по которому бежит ток от истока к стоку)

Falconist · 18.10.2014, 16:04

MOSFE, я как-то не заморачивался подобными углубленными пояснениями. Просто запомнил, что транзистор обедненного либо обогащенного типа - это не режим его работы, а принцип создания (легирования) канала. В обоих случаях прикладывание к затвору напряжения той же полярности, что и на стоке, повышает проводимость канала. Однако, в первом случае канал исходно открыт, во втором - исходно закрыт.

Это касается каналов обоих типов (как N так и P-типа).