Помогите с азами импульсного преобразования

[Alex9797]

2: Зависит ли время выключения БТ от Кнас и тока и как?

Сильно зависит. Чем больше Кнас, тем дольше выключается транзистор. Сколько времени будет запираться транзистор - это зависит не только от Кнас, но и от режима запирания, от параметров элементов в базовой цепи. Скорость запирания можно увеличить, применяя форсирующие цепочки, или подавая на базу двуполярные импульсы.

1: Почему в характеристиках ключевых транзисторов указано время выключения 2,5..4мкс (при работе на активную нагрузку), а в АТХ БП принимается - 1мкс?

Потому что в АТХ БП запирание производится двуполярными импульсами, с форсирующими цепочками. А в справочнике приводится значение для пассивного режима запирания. И очень внимательно надо смотреть, для какого режима работы приводятся эти данные. Какой ток коллектора, какой ток базы, какой при этом Кнас, и т.д.

3. Да, имеется в виду нагрев кристалла при длительной работе в импульсном режиме.

[zoog]

Чем больше Кнас, тем дольше выключается транзистор

Это как бы общеизвестно, я рассчитывал на более конкретную информацию

в справочнике приводится значение для пассивного режима запирания.

А по-моему запись Ib1=-Ib2=1,6A свидетельствует об обратном.

[tempora]

даже если бы сверхпроводимость сохранялась в магнитных полях с высокой напряжённостью, то всё равно получить бесконечно большую мощность с трансформатора не удастся, т.к. свои ограничения наложит эффективный объём магнитопровода.

Если, скажем, кого-то приговорили одновременно к повешению, четвертованию, расстрелу, усыплению и казни на электрическом стуле, то я вовсе не утверждаю, что порядок, в котором сработают причины смерти, "будет вот таким", я лишь упомянул ещё одну причину.

[Alex9797]

Это как бы общеизвестно, я рассчитывал на более конкретную информацию

Чтобы получить более конкретную информацию, надо более конкретно сформулировать вопрос.

[zoog]

Alex9797, извольте: как изменится это время при токе в 10 или в 100 раз меньше номинального, при том же Кнас. И в каких границах мощности сохраняется постоянный Кнас в обычной схеме с пропорционально-токовым управлением?

[Alex9797]

zoog, это вопрос по конкретному типу транзисторов, и это вообще, обо всех вместе? Даже если рассматривать конкретный тип, то все равно, зависимость будет представлять не плоский график, а семейство, зависящее от множества других факторов. В том числе и от индивидуальных особенностей конкретного экземпляра (хотя у импортных транзисторов из одной партии повторяемость параметров очень высокая). Так что разговор в таком ключе считаю беспредметным.

как изменится это время при токе в 10 или в 100 раз меньше номинального, при том же Кнас.

Сразу возникает первый вопрос - что такое "номинальный ток"? Есть максимально допустимый, но он зависит от температуры кристалла.

Второй вопрос - что такое Кнас, в вашем понимании? Как его определить?
Я вижу, что вы не совсем хорошо понимаете, что это такое. Впрочем, среди специалистов тоже нет общего мнения.

[zoog]

zoog, это вопрос по конкретному типу транзисторов, и это вообще, обо всех вместе? Даже если рассматривать конкретный тип, то все равно, зависимость будет представлять не плоский график, а семейство, зависящее от множества других факторов. В том числе и от индивидуальных особенностей конкретного экземпляра (хотя у импортных транзисторов из одной партии повторяемость параметров очень высокая). Так что разговор в таком ключе считаю беспредметным.

Тогда (если есть желание, конечно) разъясните, в чём я неконкретен, какие факторы не учёл, хотя бы "по конкретному типу транзисторов". Какой смысл просто говорить, как насреддин: "Если вы не знаете - то я вам и не скажу".

Сразу возникает первый вопрос - что такое "номинальный ток"?

Тот, при котором указано Твыкл в паспорте, разумеется.

Второй вопрос - что такое Кнас, в вашем понимании? Как его определить?

Ух ты, мне-то казалось, что это самое простое - Ic/Ib в режиме насыщения. Вот последний не так легко формально определить.

[Alex9797]

Ух ты, мне-то казалось, что это самое простое - Ic/Ib в режиме насыщения.

Ответ неверный. Разные транзисторы имеют разный коэффициент усиления по току, который, к тому же, зависит от тока коллектора и температуры.
Если считать, что Кнас = Ic/Ib, то при одном и том же его значении один транзистор будет на границе насыщения, другой - перенасыщен, а третий и вовсе в активном режиме.

Вот последний не так легко формально определить.

Да, среди специалистов есть несколько подходов. Но самым удачным принято считать такой вариант:
1. Напряжение коллектора выше напряжения базы - активный режим
2. Напряжение коллектора равно напряжению базы - граница активный/насыщение
3. Напряжение коллектора меньше напряжения базы - насыщение

Исходя из этого, Кнас определяется отношением текущего значения тока базы, к току базы, при котором выполняется условие пункта 2.

[zoog]

Ответ неверный. Разные транзисторы имеют разный коэффициент усиления по току, который, к тому же, зависит от тока коллектора и температуры.
Если считать, что Кнас = Ic/Ib, то при одном и том же его значении один транзистор будет на границе насыщения, другой - перенасыщен, а третий и вовсе в активном режиме.

Ic/Ib в режиме насыщения.

Исходя из этого, Кнас определяется отношением текущего значения тока базы, к току базы, при котором выполняется условие пункта 2.

Обеими руками "за", а дальше?

[Alex9797]

Обеими руками "за", а дальше?

Дальше? Название этой темы, если не ошибаюсь:
"Помогите с азами импульсного преобразования"

Так вот, это и были "азы". На этом они закончились. А дальше будет уже оффтоп.