Источники питания и свет Актуальные вопросы и ответы по источникам питания, световому оборудованию. |
19.11.2011, 22:46
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 04.12.2009
Сообщений: 5,455
Сказал спасибо: 73
Сказали Спасибо 2,510 раз(а) в 1,414 сообщении(ях)
|
Re: Лабораторный блок питания с защитой от перегрузки
Разница есть. В случае NPN транзистора, чтобы довести его до насыщения, для создания базового тока потребуется источник напряжения выше, чем на коллекторе. Если базовый ток течёт с того же источника, с которого запитан коллектор, то, действительно, добавится Uбэ, а в случае составного - вдвое больше, с обоих БЭ переходов, и насыщения транзистора не добится. Здесь же ничто не мешает получить любой базовый ток, т.к. он течёт с плюса источника питания через 2 БЭ перехода в минус, а это порядка 30 вольт.
|
|
|
|
19.11.2011, 22:55
|
|
Гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 26.09.2006
Сообщений: 861
Сказал спасибо: 490
Сказали Спасибо 477 раз(а) в 271 сообщении(ях)
|
Re: Лабораторный блок питания с защитой от перегрузки
Вы уперлись в схему конкретного устройства. Я же Вам говорю о режиме работы транзисторов при насыщении, а не конкретно в этой схеме.
Если Вы хотите оперировать NPN, то замените все активные элементы в данной схеме на противоположные, измените полюсовку конденсаторов и диодов...
И что, измениться принцип работы?
Так же и для режима насыщения. Что PNP, что NPN - суть одна.
|
|
|
|
19.11.2011, 23:08
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 04.12.2009
Сообщений: 5,455
Сказал спасибо: 73
Сказали Спасибо 2,510 раз(а) в 1,414 сообщении(ях)
|
Re: Лабораторный блок питания с защитой от перегрузки
Во как!
А я что, рассуждал здесь в общем? Естественно, речь идёт о конкретной схеме. Если по ходу дела менять тему, можно выиграть любой спор. Как шахматную доску вертеть туда-сюда. Меня как-то мало занимают здесь режимы транзисторов вообще. Неужели вы думали, что я пытался доказать разницу в режимах насыщения PNP и NPN транзисторов? Просто вы сказали, что на составном падение напряжения больше, чем на одиночном, а это в общем случае, как и в этом конкретном, неверно. Видимо, и в указанные мной даташиты поленились заглянуть.
|
|
|
|
19.11.2011, 23:55
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 03.08.2010
Сообщений: 1,982
Сказал спасибо: 67
Сказали Спасибо 1,680 раз(а) в 554 сообщении(ях)
|
Re: Лабораторный блок питания с защитой от перегрузки
Сообщение от Scadauser
|
Просто вы сказали, что на составном падение напряжения больше, чем на одиночном, а это в общем случае, как и в этом конкретном, неверно
|
удивительное упрямство в отстаивании своих заблуждений.
на коллекторе составного напряжение ВСЕГДА больше, чем на базе второго транзистора.
|
|
|
|
20.11.2011, 00:04
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 04.12.2009
Сообщений: 5,455
Сказал спасибо: 73
Сказали Спасибо 2,510 раз(а) в 1,414 сообщении(ях)
|
Re: Лабораторный блок питания с защитой от перегрузки
Сообщение от Starichok51
|
удивительное упрямство в отстаивании своих заблуждений.
на коллекторе составного напряжение ВСЕГДА больше, чем на базе второго транзистора.
|
А 40 мороза - это больше, чем 30 жары? Хотя бы на схему глянули!
|
|
|
|
20.11.2011, 00:45
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 04.12.2009
Сообщений: 5,455
Сказал спасибо: 73
Сказали Спасибо 2,510 раз(а) в 1,414 сообщении(ях)
|
Re: Лабораторный блок питания с защитой от перегрузки
Сообщение от Starichok51
|
удивительное упрямство в отстаивании своих заблуждений.
на коллекторе составного напряжение ВСЕГДА больше, чем на базе второго транзистора.
|
Намекнул, и честно подождал - может, сами одумаетесь - какой бред Вы тут пронесли. В данной схеме напряжение на коллекторе составного транзистора ВСЕГДА! ниже, чем на базе. Исключая режим, когда при уставке выходного напряжения на максимум и снижении напряжения сети транзистор войдёт в режим насыщения. И вообще, о чём дискуссия? Кто кого в чём пытается убедить? Любая теория, не подтверждённая практикой, называется иначе - гипотезой. Я всё, что написал, проверил практикой. Хотите пообсуждать - спаяйте, тогда будет общая тема для обсуждения, а так - увольте! Или хотя бы промоделируйте в симуляторе.
|
|
|
|
20.11.2011, 01:47
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 03.08.2010
Сообщений: 1,982
Сказал спасибо: 67
Сказали Спасибо 1,680 раз(а) в 554 сообщении(ях)
|
Re: Лабораторный блок питания с защитой от перегрузки
пока что бред про составной транзистор несете вы.
|
|
|
|
20.11.2011, 12:50
|
|
Почётный гражданин KAZUS.RU
Регистрация: 26.01.2007
Сообщений: 3,123
Сказал спасибо: 61
Сказали Спасибо 1,153 раз(а) в 624 сообщении(ях)
|
Re: Лабораторный блок питания с защитой от перегрузки
Интересный спор про составной транзистор ![Улыбка](images/smilies/icon_smile.gif) . И нет в этом споре единой точки отсчета, так же как и значении величины: алгебраическая (со знаком) или по модулю ![Улыбка](images/smilies/icon_smile.gif) .
|
|
|
|
20.11.2011, 14:28
|
|
Прописка
Регистрация: 03.06.2009
Адрес: С.-Петербург
Сообщений: 148
Сказал спасибо: 112
Сказали Спасибо 37 раз(а) в 28 сообщении(ях)
|
Re: Лабораторный блок питания с защитой от перегрузки
Сообщение от Scadauser
|
Схема делалась около 20 лет назад, какие TL-ки?
|
Если такое старое схемотехническое решение, зачем тогда его здесь приводить?
Сообщение от Scadauser
|
Сказано-"воспринимать не как догму, а как тему для размышлений".
|
звучит прямо как приказ..
Сообщение от Scadauser
|
Опорное может быть любым - всего лишь пересчитать R17.
|
Вы видимо не совсем поняли, что я хотел сказать. Опорное напряжение созданное на "голом" стабилитроне это уже и в прямом и в переносном смысле прошлый век. Теряется весь смысл применения ОУ с большим коэффициентом усиления, если опорное напряжение не стабильно.
Кстати, схемы стабилизации опорного напряжения с помощью генератора постоянного тока были известны уже очень давно.
К сожалению я ошибся в величине. Сорри, было мало времени на ответ.
Имел в виду не 8,2, а 5,6В. Надеюсь Вы понимаете, почему.
Сообщение от Scadauser
|
Падение на составном будет таким же, как на одиночном - это не эммиттерный повторитель, а каскад с общим эмиттером.
|
Вы, видимо, не совсем представляете, как работает составной транзистор.
В вашем случае общее падение напряжения на нем будет равно Uбэ(T3) + Uкэ(T5). Для кремниевых транзисторов это приблизительно 0,7 + 2,5 = 3,2 В. Хочу Вам сказать, что в моей схеме падение напряжения на аналогичном узле такое же или даже меньше.
Сообщение от Scadauser
|
Ограничение тока работает следующим образом - когда на выходе операционника OP3 напряжение превысит установленное потенциометром + Uбэ Q1, транзистор откроется и замкнёт цепь обратной связи, тем самым ограничив выход регулятора напряжения, а его выход служит задатчиком для регулятора тока.
|
К данной сентенции я бы добавил, что ОУ ОР2 включен по схеме компаратора, т.е. он сравнивает сигналы от регулятора тока и регулятора напряжения. При этом он выдает на базу управляющего транзистора разностный сигнал, которым и изменяется динамическое сопротивления составного транзистора в зависимости от сопротивления нагрузки. Т.е. что является "задатчиком" для чего зависит от того на какой ветви характеристики находится в данный момент схема.
|
|
|
|
20.11.2011, 15:42
|
|
Супер-модератор
Регистрация: 08.09.2007
Адрес: Kyiv, Ukraine
Сообщений: 7,967
Сказал спасибо: 429
Сказали Спасибо 3,939 раз(а) в 1,690 сообщении(ях)
|
Re: Лабораторный блок питания с защитой от перегрузки
Сообщение от Starichok51
|
на коллекторе составного напряжение ВСЕГДА больше, чем на базе второго транзистора.
|
Сообщение от Scadauser
|
напряжение на коллекторе составного транзистора ВСЕГДА! ниже, чем на базе.
|
Интересный спор, да еще и с переходом на личности... А нет, чтобы просто взять и отсимулировать? Я отсимулировал схему в Мультисиме в 2-х вариантах: а) схема Дарлингтона (1-й транзистор - 2N2222, 2-й - BD139); б) одиночный транзистор BD139. Напряжение питания = 10 В. Нагрузочный резистор в коллекторе BD139 = а) 10 Ом (ток = 1 А); б) 100 Ом (ток = 100 мА). Управляется тупо ключом на плюс ("лог.1") или минус ("лог.0") питания через резистор 510 Ом.
Вот таблица того, что получилось (в аттаче).
В итоге оба оказались неправы. В схеме Дарлингтона напряжение на коллекторе второго (силового) транзистора практически такое, же, как на его базе (чуть-чуть больше на величину напряжения насыщения коллектор-эмиттер первого транзистора). А вот падение напряжения коллектор-эмиттер в схеме Дарлингтона намного больше, чем на одиночном транзисторе.
__________________
Выслушай и противную сторону, даже если она тебе и противна!..
Последний раз редактировалось Falconist; 20.11.2011 в 15:46.
|
|
|
|
Ваши права в разделе
|
Вы не можете создавать новые темы
Вы не можете отвечать в темах
Вы не можете прикреплять вложения
Вы не можете редактировать свои сообщения
HTML код Выкл.
|
|
|
Часовой пояс GMT +4, время: 04:15.
|
|