Лабораторный блок питания с защитой от перегрузки

[Scadauser]

Разница есть. В случае NPN транзистора, чтобы довести его до насыщения, для создания базового тока потребуется источник напряжения выше, чем на коллекторе. Если базовый ток течёт с того же источника, с которого запитан коллектор, то, действительно, добавится Uбэ, а в случае составного - вдвое больше, с обоих БЭ переходов, и насыщения транзистора не добится. Здесь же ничто не мешает получить любой базовый ток, т.к. он течёт с плюса источника питания через 2 БЭ перехода в минус, а это порядка 30 вольт.

[mvkarp]

Вы уперлись в схему конкретного устройства. Я же Вам говорю о режиме работы транзисторов при насыщении, а не конкретно в этой схеме.

Если Вы хотите оперировать NPN, то замените все активные элементы в данной схеме на противоположные, измените полюсовку конденсаторов и диодов...
И что, измениться принцип работы?

Так же и для режима насыщения. Что PNP, что NPN - суть одна.

[Scadauser]

Во как!
А я что, рассуждал здесь в общем? Естественно, речь идёт о конкретной схеме. Если по ходу дела менять тему, можно выиграть любой спор. Как шахматную доску вертеть туда-сюда. Меня как-то мало занимают здесь режимы транзисторов вообще. Неужели вы думали, что я пытался доказать разницу в режимах насыщения PNP и NPN транзисторов? Просто вы сказали, что на составном падение напряжения больше, чем на одиночном, а это в общем случае, как и в этом конкретном, неверно. Видимо, и в указанные мной даташиты поленились заглянуть.

[Starichok51]

Просто вы сказали, что на составном падение напряжения больше, чем на одиночном, а это в общем случае, как и в этом конкретном, неверно

удивительное упрямство в отстаивании своих заблуждений.
на коллекторе составного напряжение ВСЕГДА больше, чем на базе второго транзистора.

[Scadauser]

удивительное упрямство в отстаивании своих заблуждений.
на коллекторе составного напряжение ВСЕГДА больше, чем на базе второго транзистора.

А 40 мороза - это больше, чем 30 жары? Хотя бы на схему глянули!

[Scadauser]

удивительное упрямство в отстаивании своих заблуждений.
на коллекторе составного напряжение ВСЕГДА больше, чем на базе второго транзистора.

Намекнул, и честно подождал - может, сами одумаетесь - какой бред Вы тут пронесли. В данной схеме напряжение на коллекторе составного транзистора ВСЕГДА! ниже, чем на базе. Исключая режим, когда при уставке выходного напряжения на максимум и снижении напряжения сети транзистор войдёт в режим насыщения. И вообще, о чём дискуссия? Кто кого в чём пытается убедить? Любая теория, не подтверждённая практикой, называется иначе - гипотезой. Я всё, что написал, проверил практикой. Хотите пообсуждать - спаяйте, тогда будет общая тема для обсуждения, а так - увольте! Или хотя бы промоделируйте в симуляторе.

[Starichok51]

пока что бред про составной транзистор несете вы.

[avp94]

Интересный спор про составной транзистор . И нет в этом споре единой точки отсчета, так же как и значении величины: алгебраическая (со знаком) или по модулю .

[Wlad1453]

Схема делалась около 20 лет назад, какие TL-ки?

Если такое старое схемотехническое решение, зачем тогда его здесь приводить?

Сказано-"воспринимать не как догму, а как тему для размышлений".

звучит прямо как приказ..

Опорное может быть любым - всего лишь пересчитать R17.

Вы видимо не совсем поняли, что я хотел сказать. Опорное напряжение созданное на "голом" стабилитроне это уже и в прямом и в переносном смысле прошлый век. Теряется весь смысл применения ОУ с большим коэффициентом усиления, если опорное напряжение не стабильно.
Кстати, схемы стабилизации опорного напряжения с помощью генератора постоянного тока были известны уже очень давно.

К сожалению я ошибся в величине. Сорри, было мало времени на ответ.

Имел в виду не 8,2, а 5,6В. Надеюсь Вы понимаете, почему.

Падение на составном будет таким же, как на одиночном - это не эммиттерный повторитель, а каскад с общим эмиттером.

Вы, видимо, не совсем представляете, как работает составной транзистор.
В вашем случае общее падение напряжения на нем будет равно Uбэ(T3) + Uкэ(T5). Для кремниевых транзисторов это приблизительно 0,7 + 2,5 = 3,2 В. Хочу Вам сказать, что в моей схеме падение напряжения на аналогичном узле такое же или даже меньше.

Ограничение тока работает следующим образом - когда на выходе операционника OP3 напряжение превысит установленное потенциометром + Uбэ Q1, транзистор откроется и замкнёт цепь обратной связи, тем самым ограничив выход регулятора напряжения, а его выход служит задатчиком для регулятора тока.

К данной сентенции я бы добавил, что ОУ ОР2 включен по схеме компаратора, т.е. он сравнивает сигналы от регулятора тока и регулятора напряжения. При этом он выдает на базу управляющего транзистора разностный сигнал, которым и изменяется динамическое сопротивления составного транзистора в зависимости от сопротивления нагрузки. Т.е. что является "задатчиком" для чего зависит от того на какой ветви характеристики находится в данный момент схема.

[Falconist]

на коллекторе составного напряжение ВСЕГДА больше, чем на базе второго транзистора.

напряжение на коллекторе составного транзистора ВСЕГДА! ниже, чем на базе.

Интересный спор, да еще и с переходом на личности... А нет, чтобы просто взять и отсимулировать? Я отсимулировал схему в Мультисиме в 2-х вариантах: а) схема Дарлингтона (1-й транзистор - 2N2222, 2-й - BD139); б) одиночный транзистор BD139. Напряжение питания = 10 В. Нагрузочный резистор в коллекторе BD139 = а) 10 Ом (ток = 1 А); б) 100 Ом (ток = 100 мА). Управляется тупо ключом на плюс ("лог.1") или минус ("лог.0") питания через резистор 510 Ом.

Вот таблица того, что получилось (в аттаче).

В итоге оба оказались неправы. В схеме Дарлингтона напряжение на коллекторе второго (силового) транзистора практически такое, же, как на его базе (чуть-чуть больше на величину напряжения насыщения коллектор-эмиттер первого транзистора). А вот падение напряжения коллектор-эмиттер в схеме Дарлингтона намного больше, чем на одиночном транзисторе.