Помогите с азами импульсного преобразования

[KREN]

Оценку Ваших постов (для себя). Но возраст пограничный, поэтому уверенности в оценке первопричины Ваших толкований процессов в трансформаторе нет: то ли возрастное, то ли троллизм.

Похоже, что математику в школе, Вы учили на муми-троллях. Когда я увидел эту новую программу по математике, предназначенную для подготовки и воспитания человека, как приложения к ЭВМ, а не думающего человека, способного самостоятельно анализировать окружающий мир, я сразу перевёл своих детей в другую школу, где преподавали по нормальной программе.
Пенсию мне дали ещё в 94 году, как человеку относящемуся к лётно-подъёмному составу авиации.
Надеюсь на этом мы с Вами прекратим обсуждение моей скромной персоны.

[tempora]

Я так и думал, просто хотел уточнить. Что ж, это всё объясняет.

[zoog]

В общем, несмотря на весёлые посиделки, с азами мне действительно помогли, всем спасибо. Практически всё я как бы и знал, но не понимал, либо понимал криво. Хорошо бы внести это в FAQ какой-нибудь.

[KREN]

Могу дать ещё один совет, по снижению глубины насыщения биполярного транзистора. Т.к. Напряжение насыщения база - эмиттер больше, чем напряжение насыщения коллектор - эмиттер, то базу и коллектор можно соединить быстродействующим диодом, с небольшим прямым напряжением. Этот приём не позволит транзистору войти в глубокое насыщение.

[tempora]

Хорошо бы внести это в FAQ какой-нибудь.

А что, "Силовая электроника ..." Семёнова, "Practical switching power supply design" Марти Брауна и т.д. - на роль таких ЧАВо не подходят?

[tanq]

Напряжение насыщения база - эмиттер больше, чем напряжение насыщения коллектор - эмиттер, то базу и коллектор можно соединить быстродействующим диодом, с небольшим прямым напряжением. Этот приём не позволит транзистору войти в глубокое насыщение.

Пробовал эту идею в симуляторе, т.к. тоже хотел "простыми средствами". Не получилось, посокльку у транзистора напряжение база-эмиттер не постоянно. Оно заметно растет при росте коллектрного тока. Пришлось увеличить минимальный ток нагрузки транзистора, сделав в основном трансформаторе зазор.

[Scadauser]

Не получилось, посокльку у транзистора напряжение база-эмиттер не постоянно

Наберите в поисковике ТТЛШ.
В элементах ТТЛШ, в отличие от элементов ТТЛ, вместо обычных транзисторов используются транзисторы Шотки, в которых параллельно коллекторному переходу включен диод Шотки. Шунтирование коллекторного перехода диодом Шотки приводит к исключению режима насыщения открытого транзистора и тем самым к ускорению его запирания. Применение транзисторов Шотки позволяет повысить быстродействие элементов и одновременно улучшить их работу переключения.

[tanq]

Наберите в поисковике ТТЛШ.

И что интерсного мне поиск даст? ТТЛШ применяется на низких напряжениях, т.к. на высоие напряжения нет диодов Шоттки. А если б и были, то это не отменит возрастания напряжения на базе с ростом тока. И еще я ни разу не видел применения ТТЛШ на больших токах. На них в основном быструю логику делают, в том числе некоторые современные микросхемы тоже.

[KREN]

Не получилось, посокльку у транзистора напряжение база-эмиттер не постоянно. Оно заметно растет при росте коллектрного тока. Пришлось увеличить минимальный ток нагрузки транзистора, сделав в основном трансформаторе зазор.

Но с ростом коллекторного тока, растёт и напряжение коллектор - эмиттер. Хотя этот рост и нелинейный, как у "МОСФЕТ" транзисторов, но всё-таки заметный. Т.ч. то, на то и выйдет. Конечно, такой способ не "панацея" от всех бед, но польза от него имеется. Раньше его довольно часто использовали, при широком изменении коллекторного тока. А симулятор, конечно хорошая, но воспроизвести все нюансы реальной модели, он не в состоянии. Поэтому проверку обычно делают на макетной плате с реальными элементами.

[tanq]

KREN,
Там еще и напряжение база эмиттер будет расти. В частности, у популярного MJE13003 при приближении к максимальному току 1,5А напряжение база-эмиттер растет до 1,4В. Если к транзистору ставить диод, то напряжение коллектор эмиттер будет эти 1,4В + падение на диоде. Получается очень много. Без диода, в состоянии насыщения, оно где-то 0,3В получается при максимальном токе. Или 0,1В при токе 1А.