Сообщение от bordodynov
|
Я в будущем планирую сделать библиотеку транзисторов с тепловыми параметрами. Это что бы была возможность моделировать тепловые искажения.
|
Причина тепловых искажений - значительная переменная составляющая тока каскада по сравнению с режимным током.
Значит надо уменьшать эту переменную составляющую.
Если общей ООС нет, то ТИ любого каскада будут усилены последующими каскадами и окажутся на выходе усилителя.
В схеме с общей ООС ТИ каскадов, кроме первого, уменьшаются пропорционально глубине ООС и, при глубине 100 дБ и более, оказываются ниже уровня шума.
ТИ первого каскада ООС не уменьшает, но можете оценить их уровень по графику мощности рассеяния транзисторов первого дифкаскада (874 мкВт минимум, 890 мкВт максимум):
Т.е. сколько-нибудь существенные тепловые искажения, это последствия ошибок проектирования.